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2024年中國半導(dǎo)體設(shè)備支出猛增35%全球居首

5月28日消息，據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新統(tǒng)計(jì)，2024年中國在半導(dǎo)體設(shè)備上的支出達(dá)到495.5億美元，較去年同期增長35%，成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備支出國。這一增長主要得益于中國政府對本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持以及企業(yè)積極擴(kuò)充產(chǎn)能，SEMI指出，中國通過政策支持和產(chǎn)業(yè)投資，鞏固其全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場的地位。能力的提升。

發(fā)表于：5/29/2025

嘉立創(chuàng)發(fā)布50萬字的新書與創(chuàng)業(yè)扶持計(jì)劃

“設(shè)計(jì)方案無法順利投產(chǎn)？”“制造成本高企，返工不斷？”這些是許多電子工程師在研發(fā)過程中經(jīng)常遇到的痛點(diǎn)。在5月24日舉辦的第三屆開源硬件星火會暨電子工程師大會上，嘉立創(chuàng)針對這些難題，推出了重磅“組合拳”——發(fā)布《從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)：電子工程師PCB智造實(shí)戰(zhàn)指南》并啟動開源硬件創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)扶持計(jì)劃，旨在將多年積累的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)與豐厚資源開放共享，全方位助力工程師的技能躍遷與項(xiàng)目成功落地。

發(fā)表于：5/29/2025

聯(lián)電宣布與英特爾合作開發(fā)的12nm制程平臺2027年量產(chǎn)

5月28日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行年度股東大會，聯(lián)電首席財(cái)務(wù)官劉啟東指出，與處理器大廠英特爾合作的12nm節(jié)點(diǎn)制程，為聯(lián)電最重要的發(fā)展計(jì)劃之一，預(yù)計(jì)量產(chǎn)的時間點(diǎn)將會落在2027年。而雙方也會采取分工的模式，由英特爾負(fù)責(zé)當(dāng)?shù)刂圃欤?lián)電則負(fù)責(zé)制程開發(fā)、銷售與服務(wù)流程技術(shù)。

發(fā)表于：5/29/2025

全球首個《人形機(jī)器人智能化分級》L1-L5 標(biāo)準(zhǔn)出爐

由北京人形機(jī)器人創(chuàng)新中心牽頭，聯(lián)合上海人形機(jī)器人創(chuàng)新中心、浙江人形機(jī)器人創(chuàng)新中心，以及優(yōu)必選、宇樹科技、中國信通院和工聯(lián)院等主流企業(yè)及科研院所共同制定了全球首個《人形機(jī)器人智能化分級》（T / CIE 298-2025）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。這是全球首個人形機(jī)器人智能化能力分級的標(biāo)準(zhǔn)，通過借鑒自動駕駛、工業(yè)機(jī)器人等分級邏輯，并針對人形機(jī)器人的特殊性進(jìn)行了創(chuàng)新，構(gòu)建形成“四維五級”的評價框架。包括“感知認(rèn)知（P）、決策學(xué)習(xí)（D）、執(zhí)行表現(xiàn)（E）、協(xié)作交互（C）”為核心的四大能力維度，并構(gòu)建 L1-L5 五級智能化能力分級體系，IT之家附具體介紹如下：從 L1 至 L5，智能化能力水平逐級遞增。標(biāo)準(zhǔn)同步給出 22 個一級指標(biāo)、100 余項(xiàng)技術(shù)條款、通用安全底線及典型應(yīng)用場景映射，可為企業(yè)開展產(chǎn)品設(shè)計(jì)、性能對標(biāo)和能力聲明提供直觀參照。

發(fā)表于：5/29/2025

中國石油發(fā)布3000億參數(shù)昆侖大模型

日前，中國石油發(fā)布3000億參數(shù)昆侖大模型，標(biāo)志著中國石油在人工智能領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

發(fā)表于：5/29/2025

臺積電稱暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入High NA EUV必要

5 月 28 日消息，臺積電負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)開發(fā)及全球業(yè)務(wù)的資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席 COO 張曉強(qiáng)在荷蘭阿姆斯特丹當(dāng)?shù)貢r間昨日舉行的公司 2025 年技術(shù)論壇歐洲場上表示，臺積電暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入 High NA EUV 的必要。張曉強(qiáng)表示，臺積電新近公布的 1.4nm 級邏輯制程 A14 即使沒有導(dǎo)入 High NA EUV 圖案化設(shè)備，提升幅度也相當(dāng)可觀。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱SK海力士計(jì)劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存

5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報(bào)道稱，SK海力士計(jì)劃今年十月開始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應(yīng)英偉達(dá)計(jì)劃明年推出的 "Rubin" 架構(gòu) AI GPU 的需求。

發(fā)表于：5/28/2025

臺積電警告稱芯片關(guān)稅可能削弱其在美1650億美元投資計(jì)劃

5 月 28 日消息，臺積電呼吁美國商務(wù)部豁免芯片進(jìn)口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴(kuò)建計(jì)劃，并威脅美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。今年 3 月，臺積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計(jì)劃再建三座晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝廠和一個研發(fā)中心，總投資額累計(jì) 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱三星電子調(diào)整HBM團(tuán)隊(duì)組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品

5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報(bào)道，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負(fù)責(zé)人全永鉉正在對內(nèi)部組織進(jìn)行大刀闊斧的改革。據(jù)悉，全永鉉在被外界評價為“錯失開發(fā)時機(jī)”的高帶寬存儲器（HBM）業(yè)務(wù)上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開發(fā)團(tuán)隊(duì)細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn) HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團(tuán)隊(duì)。

發(fā)表于：5/28/2025

3年虧損超8億元基本半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請

5月27日，據(jù)港交所官網(wǎng)顯示，中國碳化硅功率器件廠商——深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）正式向港交所遞交了上市申請表，中信證券、國金證券(香港)有限公司、中銀國際為其聯(lián)席保薦人。

發(fā)表于：5/28/2025

英飛凌推出PSOC? 4100T Plus MCU

【2025年5月27日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用Multi-Sense技術(shù)的 Arm® Cortex®-M0+ 微控制器（MCU）——PSOC? 4100T Plus。這款新型MCU集豐富的模擬和數(shù)字功能于一身，擁有128K閃存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense這一包含CAPSENSE?、電感式傳感和液位傳感功能的英飛凌先進(jìn)技術(shù)。PSOC? 4100T Plus 還擁有更高的可靠性以及多種增強(qiáng)功能和先進(jìn)傳感功能，為系統(tǒng)控制和人機(jī)接口（HMI）應(yīng)用提供了完整的解決方案。

發(fā)表于：5/28/2025

意法半導(dǎo)體推出兩款GaN半橋驅(qū)動器，可提高能效和魯棒性

2025年5月27日，中國——意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。

發(fā)表于：5/28/2025

我國小衛(wèi)星太陽翼立體存儲系統(tǒng)建成投入使用

5月28日消息，中國空間技術(shù)研究院宣布，近日，由五院529廠與航天東方紅共同建設(shè)的小衛(wèi)星太陽翼立體存儲系統(tǒng)正式通過驗(yàn)收，投入使用。據(jù)介紹，該系統(tǒng)由提升機(jī)、出入庫平臺、貨架、托盤及智能倉儲管理系統(tǒng)等組件構(gòu)成，總體占地面積70余平方米，高度近12米。系統(tǒng)共配置26個獨(dú)立存儲托盤，單一托盤載重能力大于1噸，可同時存放多組小衛(wèi)星太陽翼及模擬墻組合體。

發(fā)表于：5/28/2025

臺積電3nm產(chǎn)能利用率已達(dá)100%

5月26日消息，根據(jù)韓國媒體ZDnet Korea 的報(bào)導(dǎo)，近年來，受惠于人工智能（AI）芯片需求的強(qiáng)勁成長，臺積電正積極提升其先進(jìn)制程的生產(chǎn)比例。尤其是當(dāng)前已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)的3nm制程，以及即將要進(jìn)入量產(chǎn)的2nm制程技術(shù)，更是觀察其半導(dǎo)體市場健康狀態(tài)的重點(diǎn)。報(bào)道稱，臺積電已經(jīng)量產(chǎn)的3nm制程的產(chǎn)能利用率，在過去一段時間內(nèi)有顯著提升。根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint Research 的報(bào)告，自量產(chǎn)以來，3nm制程經(jīng)過五季的提升，首次達(dá)到了100%的利用率狀況。帶動這股強(qiáng)勁需求的，首先是對x86 PC 中央處理器（CPU）的需求大幅提升，以及其他應(yīng)用處理器，這些芯片廣泛應(yīng)用于高效能運(yùn)算和旗艦智能手機(jī)上。其中包含了蘋果用于其最新產(chǎn)品的A17 Pro 和A18 Pro 芯片。

發(fā)表于：5/27/2025

美國政府半導(dǎo)體關(guān)稅出臺在即！

5月27日消息，針對美國商務(wù)部《貿(mào)易擴(kuò)張法》第232條進(jìn)行的半導(dǎo)體進(jìn)口國家安全調(diào)查，英特爾、美光和高通等美國半導(dǎo)體巨頭以及美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）近日都向美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見評論，紛紛敦促美國總統(tǒng)特朗普謹(jǐn)慎對待半導(dǎo)體關(guān)稅，并警告一旦施行廣泛的關(guān)稅，可能對美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成嚴(yán)重意外損害。根據(jù)此前報(bào)道，美國特朗普政府可能很快將會推出針對半導(dǎo)體加征關(guān)稅的政策，市場傳聞稅率可能高達(dá)25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來加征關(guān)稅，這也將對臺積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠商，以及以及英偉達(dá)、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計(jì)廠商帶來負(fù)面影響。

發(fā)表于：5/27/2025