工業(yè)自動(dòng)化最新文章 英特爾投資立訊精密東莞子公司 英特爾投資立訊技術(shù)，產(chǎn)業(yè)鏈人士：將助力立訊敲開(kāi)北美服務(wù)器市場(chǎng)大門 發(fā)表于：6/18/2024 淺析HBM五大關(guān)鍵門檻 6月17日消息，在當(dāng)前人工智能（AI）芯片中扮演不可或缺地位的高帶寬內(nèi)存（HBM），其生產(chǎn)困難點(diǎn)有哪些，為什么迄今全球只有SK海力士、美光和三星這三家DRAM大廠有能力跨入該市場(chǎng)，外媒對(duì)此做了一個(gè)綜合性的分析。 報(bào)道表示，HBM通過(guò)使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）芯片堆疊在一起，并通過(guò)硅穿孔技術(shù)（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，進(jìn)一步達(dá)到高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)手段。 CowoS封裝中的HBM技術(shù)困難度目前歸納了幾項(xiàng)要點(diǎn)： 發(fā)表于：6/18/2024 智源人工智能研究院推出大模型全家桶 智源人工智能研究院推出大模型全家桶 智源研究院此次推出的大模型“全家桶”，包括智源多模態(tài)大模型、具身智能大模型、生物計(jì)算大模型等。 發(fā)表于：6/18/2024 國(guó)產(chǎn)量子計(jì)算用溫度計(jì)刷新紀(jì)錄 6月17日消息，量子計(jì)算是目前全球主要大國(guó)爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)，我國(guó)已是世界上第三個(gè)具備量子計(jì)算機(jī)整機(jī)交付能力的國(guó)家，國(guó)際量子計(jì)算研究領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。 日前，國(guó)盾量子宣布自主研發(fā)了氧化釕溫度計(jì)ezQ-RX56。 發(fā)表于：6/18/2024 Ethernet-APL：為流程工業(yè)帶來(lái)變革 Ethernet-APL（以太網(wǎng)高級(jí)物理層）這一關(guān)鍵技術(shù)將實(shí)現(xiàn)所有承諾，并將數(shù)字化帶入加工廠的每一個(gè)角落：在潛在爆炸區(qū)域內(nèi)可以無(wú)障礙且可靠地實(shí)現(xiàn)大量數(shù)據(jù)的快速高效通信。 發(fā)表于：6/17/2024 Qorvo® 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET 中國(guó) 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)在上述應(yīng)用中至關(guān)重要。 發(fā)表于：6/17/2024 兆易創(chuàng)新亮相SNEC上海光伏展，以“芯”科技助力數(shù)字能源發(fā)展 中國(guó)北京（2024年6月12日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，將攜多款數(shù)字能源解決方案，參加6月13日-15日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的SNEC第十七屆（2024）國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源（上海）展覽會(huì)（展位：5.1H館D535），集中展現(xiàn)其在光伏、儲(chǔ)能和充電樁、工業(yè)及通訊電源等領(lǐng)域的前沿技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。 發(fā)表于：6/17/2024 ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī) 可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了 發(fā)表于：6/17/2024 消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn) 消息稱鎧俠結(jié)束 NAND 閃存減產(chǎn)，現(xiàn)有工廠開(kāi)工率均已恢復(fù)至 100% 發(fā)表于：6/17/2024 SK 海力士將提升1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足HBM3E內(nèi)存需求 提升 1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足 HBM3E 內(nèi)存需求，消息稱 SK 海力士正升級(jí) M16 晶圓廠 發(fā)表于：6/17/2024 沒(méi)有撤離荷蘭 ASML總部擴(kuò)建計(jì)劃獲批 6月17日消息，近日，荷蘭埃因霍溫市議會(huì)多數(shù)成員以 34 比 6 的投票結(jié)果通過(guò)了ASML在Brainport Industries Campus園區(qū)的擴(kuò)張計(jì)劃，這也為這家半導(dǎo)體巨頭繼續(xù)在當(dāng)?shù)財(cái)U(kuò)張鋪平了道路。 發(fā)表于：6/17/2024 PANJIT強(qiáng)勢(shì)推出兩顆優(yōu)化的1600V通用型整流器 PANJIT積極推出兩顆優(yōu)化的1600V通用型整流器（PGR6016PT/PGR9016PT），電流高達(dá)60A/90A，以其優(yōu)越性能脫穎而出，在ORing Diode電路上提供卓越的表現(xiàn)，具有高效率、低耗損特性。由于充電樁會(huì)有若干個(gè)充電模塊并聯(lián)后進(jìn)行輸出供電，這可確保在其中一個(gè)電源失效時(shí)，其他電源仍正常運(yùn)作。 發(fā)表于：6/14/2024 Intel 3工藝官方揭秘最新數(shù)據(jù) Intel 3工藝官方揭秘：面積縮小10％、能效飆升17％ 發(fā)表于：6/14/2024 三星公布引領(lǐng)AI時(shí)代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖 三星公布引領(lǐng)AI時(shí)代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖 效果大幅提升 發(fā)表于：6/14/2024 諾獎(jiǎng)得主稱美國(guó)最多斷供中國(guó)10年芯片 華為等加油！諾獎(jiǎng)得主稱美國(guó)最多斷供中國(guó)10年芯片：中國(guó)能造出比美更好的 發(fā)表于：6/14/2024 ?…150151152153154155156157158159…?
