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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

專家稱玻璃基板將取代2.5D芯片封裝

威脅臺(tái)積電CoWoS？專家稱玻璃基板將取代2.5D芯片封裝

發(fā)表于：6/13/2024

HBM供不應(yīng)求美光廣島新廠2027年量產(chǎn)

HBM供不應(yīng)求，美光廣島新廠2027年量產(chǎn)

發(fā)表于：6/13/2024

國產(chǎn)企業(yè)重金押注8.6代OLED

國產(chǎn)企業(yè)重金押注8.6代OLED，能否重演LCD產(chǎn)業(yè)逆轉(zhuǎn)史？

發(fā)表于：6/13/2024

三星公布芯片技術(shù)路線圖

6月13日，三星公布芯片技術(shù)路線圖，以贏得AI業(yè)務(wù)。根據(jù)三星預(yù)測(cè)，到2028年其AI相關(guān)客戶名單將擴(kuò)大五倍，收入將增長九倍，該公司公布了對(duì)未來人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。三星推出的先進(jìn)工藝采用的背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)將電源軌放置在硅晶圓的背面，該公司表示，與第一代2納米工藝相比，這種技術(shù)提高了功耗、性能的同時(shí)，顯著降低了電壓。三星還表示，其提供邏輯、內(nèi)存和先進(jìn)封裝的能力，將有助于公司贏得更多人工智能相關(guān)芯片的外包制造訂單。公司還公布了基于AI設(shè)計(jì)的GAA處理器（(Gate-All-Around,全環(huán)繞柵極)，其中第二代3納米的GGA計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)，并在其即將推出的2納米工藝中提供GAA。該公司還確認(rèn)其1.4納米的準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，目標(biāo)有望在2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

發(fā)表于：6/13/2024

華為發(fā)布全球首款從芯到網(wǎng)的智能組串式構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能平臺(tái)

華為發(fā)布全球首款從芯到網(wǎng)的智能組串式構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能平臺(tái)

發(fā)表于：6/13/2024

跨電感電壓調(diào)節(jié)器的多相設(shè)計(jì)、決策和權(quán)衡

　　最近推出的跨電感電壓調(diào)節(jié)器（TLVR）在多相DC-DC應(yīng)用中頗受歡迎，這些應(yīng)用為CPU、GPU和ASIC等低壓大電流負(fù)載供電。這一趨勢(shì)主要基于該技術(shù)出色的瞬態(tài)性能。TLVR還支持靈活的設(shè)計(jì)和布局，但有幾個(gè)缺點(diǎn)。本文闡述了TLVR設(shè)計(jì)選擇如何影響性能參數(shù)，并討論了相關(guān)權(quán)衡。

發(fā)表于：6/12/2024

羅克韋爾自動(dòng)化攜綠色數(shù)智創(chuàng)新再度亮相碳中和博覽會(huì)

　?。?024年6月7日，中國上海）作為工業(yè)自動(dòng)化、信息化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)之一，羅克韋爾自動(dòng)化攜手臨港集團(tuán)聯(lián)合參展于6月5日至6月8日舉辦的第二屆上海國際碳中和技術(shù)、產(chǎn)品與成果博覽會(huì)（以下簡稱“碳中和博覽會(huì)”），在E4館D01/D02展區(qū)展出多項(xiàng)創(chuàng)新成果，并于6月6日舉辦氣候燈塔先進(jìn)用例發(fā)布會(huì)。再度參展，羅克韋爾從前端科技創(chuàng)新、終端應(yīng)用落地、多端跨界推廣幾大維度，展現(xiàn)自身全鏈路賦能凈零智造的領(lǐng)先實(shí)力，詮釋助力中國制造業(yè)可持續(xù)發(fā)展的堅(jiān)定承諾。

發(fā)表于：6/12/2024

9家英國半導(dǎo)體公司組團(tuán)前往中國臺(tái)灣尋求合作

9家英國半導(dǎo)體公司組團(tuán)前往中國臺(tái)灣，尋求合作

發(fā)表于：6/12/2024

日本連續(xù)三個(gè)季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國

日本連續(xù)三個(gè)季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國

發(fā)表于：6/12/2024

滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能

投資132億元！滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能：總產(chǎn)能將達(dá)120萬片/月

發(fā)表于：6/12/2024

韓國AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺(tái)積電3nm制程

韓國AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺(tái)積電3nm制程

發(fā)表于：6/12/2024

傳美國將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口

6月12日，據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士稱，拜登政府正在考慮進(jìn)一步限制中國獲得用于人工智能(AI)的芯片技術(shù)，這次把目標(biāo)鎖定在了一種剛剛進(jìn)入市場(chǎng)的新硬件。傳美國將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口

發(fā)表于：6/12/2024

CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數(shù)據(jù)中心、逆變器和工業(yè)開關(guān)電源的實(shí)現(xiàn)超高效率

無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設(shè)計(jì)的、超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ICeGaN? GaN 功率 IC ，將 GaN 的優(yōu)勢(shì)提供給數(shù)據(jù)中心、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他工業(yè)電源等高功率應(yīng)用。新型 ICeGaN? P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率應(yīng)用，并提供超高效率。

發(fā)表于：6/11/2024

我國1-5月集成電路出口同比增長21.2%

我國1-5月集成電路出口同比增長21.2%：發(fā)力28nm等成熟制程產(chǎn)能要領(lǐng)先全球

發(fā)表于：6/11/2024

MIT開發(fā)出世界首款芯片式3D打印機(jī)

6月10日消息，麻省理工學(xué)院的研究人員最近宣布，他們與得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的團(tuán)隊(duì)合作，開發(fā)出了世界上第一款芯片式3D打印機(jī)原型。這款打印機(jī)的尺寸比一枚硬幣還要小，采用了創(chuàng)新的光子芯片技術(shù)。

發(fā)表于：6/11/2024

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