6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 報道，SK 海力士計劃大幅增加 1b nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能，以滿足 HBM3E 內(nèi)存需求。
HBM 內(nèi)存對 DRAM 裸片的消耗遠高于標準內(nèi)存，因此 SK 海力士進一步擴張 1b nm 制程 DRAM 產(chǎn)能在一定程度上有助于緩解 HBM 內(nèi)存目前的緊缺。
SK 海力士目標到今年年底將 1b nm 內(nèi)存晶圓投片量增至 9 萬片，明年上半年進一步增加到 14~15 萬片。
為此 SK 海力士計劃將其位于京畿道利川市的 M16 內(nèi)存晶圓廠升級至 1b nm 工藝。
M16 目前生產(chǎn) 1y nm DRAM 內(nèi)存。如果完全轉(zhuǎn)產(chǎn)至 1b nm，預計將導致 SK 海力士 1y nm 產(chǎn)能從現(xiàn)在的每月 12 萬片晶圓下降至 5 萬片。
韓媒援引半導體設備行業(yè)消息人士的話稱，SK 海力士已提出了對 M16 晶圓廠進行設備移動和改造的要求，并計劃僅引進必需的沉積、光刻和蝕刻核心設備。
有相關人士表示，SK 海力士的追加投資仍受到此前存儲行業(yè)低谷期的影響，整體決策流程十分謹慎，不過目前相關訂單的增長已超出了上游設備廠商最初預期。
4 月曾報道，SK 海力士計劃 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 內(nèi)存晶圓廠的建設。韓媒提到，相關設備訂單預計于 2025 年初開始下單
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