7 月 13 日消息，韓媒 SEDaily 今日報(bào)道稱，LG 電子下屬的生產(chǎn)技術(shù)研究所 (PTI) 已啟動(dòng)混合鍵合設(shè)備開發(fā)，目標(biāo)在 2028 年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
混合鍵合未來將毫無疑問地成為 16+ 層堆疊 HBM 內(nèi)存堆棧構(gòu)建的關(guān)鍵技術(shù)，其采用無凸塊的銅-銅鍵合，縮小各層 DRAM Die 間距，能在有限的高度內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高層數(shù)堆疊，且具備更低發(fā)熱。
目前在 HBM 內(nèi)存混合鍵合機(jī)臺開發(fā)方面，Besi 和應(yīng)用材料處于領(lǐng)先地位，而韓國兩大內(nèi)存企業(yè) SK 海力士和三星電子有實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)本地化的需求，LG 電子有望在這部分市場分得一杯羹。
另一方面，LG 電子已定下強(qiáng)化 AI 與 B2B 業(yè)務(wù)的愿景，混合鍵合設(shè)備同時(shí)符合這兩大目標(biāo)。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。