HBM 相關(guān)文章(169篇)
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傳三星將解散1c DRAM良率小組 直接推進HBM4量產(chǎn)
發(fā)表于：10/16/2025 11:50:37 AM
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DDR4持續(xù)緊缺 價格已連續(xù)6個月上漲
發(fā)表于：10/13/2025 1:36:29 PM
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2025年1-8月日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增長19.2%
發(fā)表于：9/26/2025 2:11:35 PM
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2025Q4全球DRAM價格將繼續(xù)上漲8%-13%
發(fā)表于：9/25/2025 8:46:59 AM
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技術(shù)逆襲 三星頂級1c工藝將戰(zhàn)火全面燒向HBM4
發(fā)表于：9/22/2025 11:43:46 AM
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華為自研HBM內(nèi)存正式公布
發(fā)表于：9/18/2025 1:00:39 PM
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高帶寬閃存HBF即將崛起
發(fā)表于：9/12/2025 10:24:51 AM
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先進制程設(shè)備及HBM成為AI芯片產(chǎn)能瓶頸
發(fā)表于：9/12/2025 10:07:31 AM
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谷歌最強AI平臺第七代TPU架構(gòu)Superpod曝光
發(fā)表于：8/26/2025 10:51:01 AM
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三星HBM低價20-30%打進NVIDIA供應(yīng)鏈
發(fā)表于：8/22/2025 9:57:27 AM
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二季度全球DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長20%
發(fā)表于：8/20/2025 9:06:42 AM
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傳英偉達將自研HBM Base Die
發(fā)表于：8/19/2025 12:35:32 PM
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SK海力士終結(jié)三星33年霸主地位 成為全球最大DRAM制造商
發(fā)表于：8/18/2025 10:13:32 AM
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SEMI報告顯示HBM滲透率達25%將引領(lǐng)硅晶圓將供不應(yīng)求
發(fā)表于：8/13/2025 9:10:59 AM
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傳三星12層堆疊HBM3E已通過英偉達認證
發(fā)表于：8/13/2025 9:03:31 AM
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卡住AI脖子 HBM成韓國出口王牌
發(fā)表于：8/12/2025 9:13:40 AM
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SK海力士將1c DRAM制造引入六層EUV工藝
發(fā)表于：8/12/2025 9:05:36 AM
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SK海力士預(yù)言HBM市場未來十年年增30%
發(fā)表于：8/11/2025 10:30:45 AM
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三星DDR4停產(chǎn)時間延后至2026年底
發(fā)表于：8/7/2025 9:13:50 AM
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NEO半導(dǎo)體公布X-HBM架構(gòu)概念
發(fā)表于：8/6/2025 1:52:38 PM
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三星計劃大幅降低HBM3e價格以吸引英偉達
發(fā)表于：8/1/2025 8:41:58 AM
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2025Q2全球半導(dǎo)體硅片出貨面積同比增長9.6%
發(fā)表于：7/31/2025 2:29:15 PM
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消息稱三星2018年錯失與英偉達CUDA綜合深度合作良機
發(fā)表于：7/23/2025 11:52:17 AM
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傳英偉達今年將在AI產(chǎn)品中部署80萬個SOCAMM內(nèi)存模塊
發(fā)表于：7/16/2025 9:39:20 AM
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LG電子啟動混合鍵合設(shè)備開發(fā)追逐未來HBM內(nèi)存制造關(guān)鍵技術(shù)
發(fā)表于：7/14/2025 11:39:47 AM
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銷路不佳 三星HBM3E內(nèi)存產(chǎn)量砍半
發(fā)表于：7/7/2025 2:25:00 PM
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2026年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將突破5萬億日元
發(fā)表于：7/4/2025 5:34:00 PM
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HBM內(nèi)存價格戰(zhàn)風(fēng)雨欲來
發(fā)表于：7/2/2025 9:35:38 AM
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美光披露其對美國2000億美元投資計劃細節(jié)
發(fā)表于：7/2/2025 8:52:25 AM
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美光最新一季HBM營收環(huán)比大漲50%
發(fā)表于：6/27/2025 9:06:07 AM
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