7月1日消息，據Tom's hardware報道，美國存儲芯片大廠美光（Micron）近日詳細介紹了其不久前宣布的對美國投資2000億美元的投資計劃。

在今年6月12日，美光就宣布，其計劃將在美國的存儲制造投資擴大到約 1500 億美元，研發投資也將擴大到 500 億美元，從而創造約 90,000 個直接和間接工作崗位。

其中，1500億美元的投資包括：在愛達荷州博伊西建造第二家領先的內存工廠；擴建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的現有制造工廠并對其進行現代化改造；位于紐約的多達四家領先的大批量晶圓廠；并將先進的HBM封裝能力引入美國，以實現對 AI 市場至關重要的高帶寬內存 （HBM） 的長期增長。此外，美光宣布計劃投資 500 億美元提升美國國內存儲芯片技術研發，再次鞏固其作為全球內存技術領導者的長期地位。這些投資額也旨在使美光能夠滿足預期的市場需求，保持美光的市場份額，并支持美光在美國生產 40% 的 DRAM 的目標。

根據美光最新公布的信息顯示，該投資計劃的第一部分涉及在愛達荷州博伊西附近建造世界上最大、最先進的 DRAM 生產設施之一，現在稱為 Fab ID1。一旦完全配備生產設備，ID1 的潔凈室面積將達到 600,000 平方英尺（~55,700 平方米）。這大約是 GlobalFoundries 的 Fab 8 潔凈室產能的兩倍，與競爭對手三星和 SK 海力士在韓國運營的大型晶圓廠相當。

美光在愛達荷州的Fab ID1 將于 2025 年 6 月達到了一個關鍵的建設里程碑，預計將于 2027 年下半年開始生產晶圓，此后將獲得客戶資格認證。愛達荷州的第二座晶圓廠Fab ID2 將建在ID1附近，受益于共享基礎設施和研發共址。美光預計Fab ID2 將在紐約工廠之前投入生產，盡管該公司沒有詳細說明確切的時間。

雖然美光在愛達荷州的Fab ID2 廠破土動工，ID1 也預計將在幾年內開始運營，但該公司仍在努力推動位于紐約的多達四家領先的大批量晶圓廠的計劃。美光計劃在完成聯邦和州環境審查后，到 2025 年底開始其紐約工廠的地基工作。美光的紐約計劃比愛達荷州的計劃更加雄心勃勃，因為它涉及四個晶圓廠階段，潔凈室面積約為 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米）。雖然尚未宣布該工廠的具體生產時間表，但很明顯，該工廠是美光長期戰略努力的一部分，旨在建立強大的美國國內制造足跡，以支持商業和國家計算需求。

除了建造全新的晶圓廠外，美光還將擴建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。目前，該工廠生產用于汽車、航空航天、國防和工業應用的存儲芯片。升級后，該晶圓廠將獲得在美國組裝 HBM 內存堆棧的產能和先進封裝能力。然而，美光只有在愛達荷州博伊西的晶圓廠在美國提高 DRAM 晶圓的產量后，才會為其弗吉尼亞工廠增加 HBM 能力。也就是說，預計美光將在美國制造 HBM5 或 HBM6。

“作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分，美光計劃[...]在我們在美國業務中建立了足夠的 DRAM 晶圓規模后，將先進封裝能力到美國，以支持我們的長期 HBM 增長計劃，“美光首席執行官兼董事長 Sanjay Mehrotra 說。