6月16日消息，據韓國媒體Business Korea 報導，處理器大廠AMD于上周發布的全新人工智能（AI）芯片MI350 系列將搭載三星電子的12層堆疊的HBM3E高帶寬內存。這對三星電子來是個好消息，因為該公司在英偉達的HBM 認證方面一直遭遇挫折。此外，AMD 將于2026年推出的下一代MI400 系列芯片也對三星的HBM4 供應有所期待。
AMD上周在美國舊金山圣何塞會議中心舉行的AI Advancing 2025 活動中，正式發布了其新款AI芯片MI350X 和MI355X。隨后，這兩款AI芯片被確認將搭載三星電子和美光的12層堆疊HBM3E 內存。這似乎是三星先前一直向AMD 供應HBM 內存之后，AMD 的首次確認。
而因為MI350X 和MI355X 芯片本質上是相同的，僅在散熱設計上有所不同，這改變將影響其最大運行速率。所以，在兩款產品均配備288GB容量，較上一代MI300X 的192GB，以及較MI325X 為256GB 提升12.5%的情況下，其性能將有所提升。此外，內置8個MI350系列的GPU的機架服務器，將采用總計2.3TB 的HBM3E 內存。AMD 也宣布了一項計劃，目的在提高內置多達128個GPU 的服務器機架的銷售量。因此，預計此計劃將帶來三星HBM 內存的大規模供應。
接下來的HBM4市場將會在2026年全面開啟，AMD 表示，2026年推出的MI400 系列GPU 將配備432GB 的HBM4 內存。還有預計將配置72片MI400 系列GPU 的Helios 服務器機架，每個機架將配備31TB 的HBM4 內存，其AI 運算能力將是目前一代MI355X 機架服務器的10倍。
AMD CEO蘇姿豐在活動中強調，它的運算能力與英偉達 Vera Rubin 機架服務器機架相當，但HBM 容量和頻寬是Vera Rubin 機架服務器的1.5倍。
報道強調，隨著JEDEC 規范的最終確定，HBM4 正進入全面生產階段。三星電子和SK 海力士計劃在2025年底前開始量產HBM4。三星電子在本世代HBM 競賽中落后，決心憑借HBM4 扭轉局勢。而SK 海力士和美光公司正在采用第五代10nm級（1b）制程開發HBM4，三星方面則瞄準基于更先進的第六代10nm級（1c）制程的高性能，力圖重新奪回內存市場領先地位。根據市場研究公司Omdia 的數據，2025年第一季，SK 海力士占全球DRAM 市占率的36.9%，其次是三星電子（34.4%）和美光（25%）。
韓國市場人士表示，如果三星電子無法憑借其技術的HBM4 領域中強勢回歸，那么三星與SK 海力士之間的差距只會進一步擴大。AMD 也正試圖透過其新設計的MI400 系列縮小與英偉達的差距，因此三星電子必須鞏固與MI350 系列建立的合作伙伴關系。
