頭條 東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據(jù)scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 消息稱三星電子正內(nèi)部自研XR設(shè)備專用芯片 8 月 14 日消息，據(jù)韓媒《首爾經(jīng)濟(jì)日報》（Sedaily）當(dāng)?shù)貢r間本月 8 日報道，三星電子內(nèi)部正自研 XR 設(shè)備專用芯片，該項(xiàng)目開發(fā)主管是三星去年從英特爾招募的芯片設(shè)計(jì)專家 Neeraj Parik。 發(fā)表于：8/15/2024 蘋果宣布將開放iPhone的NFC芯片 蘋果宣布將開放 iPhone 的 NFC 芯片，允許第三方進(jìn)行非接觸式支付 發(fā)表于：8/15/2024 SiFive推出數(shù)據(jù)中心級RISC-V內(nèi)核設(shè)計(jì)P870-D 對標(biāo) Arm Neoverse N2，SiFive 推出數(shù)據(jù)中心級 RISC-V 內(nèi)核設(shè)計(jì) P870-D 發(fā)表于：8/15/2024 今年二季度全球AI PC出貨量占比為14% 今年二季度全球AI PC出貨量占比為14%，預(yù)計(jì)全年出貨量將達(dá)4400萬臺 8月14日消息，市場研究機(jī)構(gòu)Canalys最新發(fā)布的報告顯示，2024年第二季度，全球AI PC的出貨量為880萬臺，在該季度的PC總出貨量當(dāng)中的占比達(dá)14%。目前，隨著各大處理器廠商紛紛推出新一代的AI PC處理器，預(yù)計(jì)2024年下半年及未來，AI PC的出貨量和用戶采用率將顯著提升。Canalys預(yù)測，AI PC的市場表現(xiàn)基本符合預(yù)期，2024年全球AI PC出貨量將達(dá)到4400萬臺，2025年有望達(dá)到1.03億臺。 發(fā)表于：8/15/2024 SMART Modular推出抗腐蝕DDR5 RDIMM內(nèi)存 浸沒式液冷服務(wù)器專用！SMART Modular推出抗腐蝕DDR5 RDIMM內(nèi)存 發(fā)表于：8/15/2024 Intel拋售全部Arm持股籌集約1.47億美元 Intel拋售全部Arm持股！籌集約1.47億美元 發(fā)表于：8/14/2024 傳英偉達(dá)GB200液冷服務(wù)器關(guān)鍵組件快換接頭也面臨短缺 傳英偉達(dá)GB200液冷服務(wù)器關(guān)鍵組件快換接頭也面臨短缺 發(fā)表于：8/14/2024 聯(lián)發(fā)科將攜手英偉達(dá)于明年上半年推出AI PC芯片 臺積電3nm制程及CoWoS封裝加持，聯(lián)發(fā)科將攜手英偉達(dá)于明年上半年推出AI PC芯片 發(fā)表于：8/14/2024 上半年國內(nèi)乘用車座艙芯片交付榜公布 8月13日消息，根據(jù)高工智能汽車研究院最新發(fā)布的《2024上半年中國市場乘用車座艙芯片交付量TOP10》榜單。 華為海思作為本土品牌，在激烈的市場競爭中表現(xiàn)出色，成功躋身前十，交付量達(dá)到225898輛，市場份額為1.42%。 發(fā)表于：8/13/2024 復(fù)旦團(tuán)隊(duì)國際首次驗(yàn)證超快閃存集成工藝 8 月 13 日消息，據(jù)復(fù)旦大學(xué)官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲技術(shù)。當(dāng)前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應(yīng)用需求。復(fù)旦大學(xué)周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)前期研究表明二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺俣忍嵘磺П兑陨希瑢?shí)現(xiàn)顛覆性的納秒級超快存儲閃存。然而，如何實(shí)現(xiàn)規(guī)模集成、走向?qū)嶋H應(yīng)用極具挑戰(zhàn)。 從界面工程出發(fā)，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際上首次驗(yàn)證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗(yàn)證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時間 8 月 12 日下午 5 點(diǎn)，相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國際頂尖期刊《自然-電子學(xué)》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。 發(fā)表于：8/13/2024 ?…126127128129130131132133134135…?
