| 基于GaN HEMT寬帶低噪聲放大器設計 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：671 K | |
| 標簽： 低噪聲放大器 氮化鎵 高電子遷移率晶體管 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：為了滿足不同通信標準的要求，利用氮化鎵高電子遷移率晶體管器件設計了一個高線性度寬頻帶低噪聲放大器。低噪聲放大器采用兩級電阻負反饋結(jié)構(gòu)，利用集總參數(shù)元件和微帶線對低噪聲放大器的輸入和輸出匹配網(wǎng)絡進行優(yōu)化，實現(xiàn)低噪聲、高線性度、寬頻帶和小回波損耗。在1～3 GHz頻率范圍內(nèi),仿真結(jié)果表明，低噪聲放大器的噪聲噪聲系數(shù)為2.39～3.21 dB，輸入端反射系數(shù)小于-10.6 dB，輸出端反射系數(shù)小于-17.9 dB，增益為23.74～25.68 dB，增益平坦度小于±0.97 dB，1 dB壓縮點輸出功率大于24.12 dBm，三階交調(diào)截取點輸出功率大于36.55 dBm。實際測試增益為22.08～26.12 dB，基本符合仿真結(jié)果。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2