| 2.3～2.7 GHz雙模式低噪聲射頻接收前端全集成芯片的設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：669 K | |
| 標(biāo)簽： GaAs pHEMT 低噪聲放大器 低噪聲 | |
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| 文檔介紹：基于GaAs pHEMT工藝設(shè)計(jì)了一款2.3～2.7 GHz雙模式低噪聲射頻接收前端全集成芯片。該接收前端芯片包含一個(gè)單刀雙擲(SPDT)收發(fā)開關(guān)及一個(gè)帶旁路功能的低噪聲放大器。一方面，采用帶源級電感負(fù)反饋的共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了放大器模式，將SPDT開關(guān)作為放大器輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的一部分，一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)獲得最少元件及較高Q值的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)低噪聲、高增益和良好的輸入回波損耗匹配；另一方面，采用多組開關(guān)聯(lián)合實(shí)現(xiàn)了旁路功能用于衰減高輸入功率的射頻信號。測試結(jié)果表明，在2.3～2.7 GHz的寬頻帶范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)的接收前端芯片在LNA模式下的噪聲系數(shù)可達(dá)到1.53～1.64 dB的較低水平，且增益在18.1～19.2 dB之間，在2.5 GHz時(shí)輸入1 dB壓縮點(diǎn)為-1.5 dBm；在旁路模式下，插入損耗在工作頻段內(nèi)維持在約6～7 dB的水平。 | |
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