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全球首款主動(dòng)安全AI電芯量產(chǎn)

全球首款主動(dòng)安全AI電芯量產(chǎn)

7 月 27 日消息，7 月 23 日，德賽電池主動(dòng)安全電芯?系統(tǒng)量產(chǎn)全球發(fā)布會(huì)在湖南長(zhǎng)沙召開，此次發(fā)布會(huì)推出主動(dòng)安全 AI 電芯和主動(dòng)安全儲(chǔ)能系統(tǒng)解決方案。據(jù)悉，這也是全球首款主動(dòng)安全 AI 電芯量產(chǎn)。

電壓跟隨器秘笈(七)，電壓跟隨器音質(zhì)改進(jìn)作用+LM324搭建電壓跟隨器

電壓跟隨器可控制輸入/出電壓相同，對(duì)于電壓跟隨器，小編曾帶來六篇文章。本文中，對(duì)于電壓跟隨器的講解，主要基于兩大方面：一、電壓跟隨器對(duì)音質(zhì)的改進(jìn)作用，二、如何用LM324運(yùn)放搭建電壓跟隨器。如果你對(duì)正文部分將要講解的電壓跟隨器內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

發(fā)表于：1/16/2020

電壓跟隨器秘笈(八)，LM358電壓跟隨器+運(yùn)放問題

電壓跟隨器應(yīng)用廣泛，生活中大大小小的電子器件中均包含電壓跟隨器。本文對(duì)于電壓跟隨器的講解，在于向大家介紹LM358電壓跟隨器的設(shè)計(jì)方案以及電壓跟隨器運(yùn)放相關(guān)內(nèi)容。此外，如果你對(duì)如何使用LM324搭建電壓跟隨器具備一定興趣，可翻閱上篇電壓跟隨器相關(guān)文章。

發(fā)表于：1/16/2020

電壓跟隨器秘笈(九)，運(yùn)放構(gòu)成電壓跟隨器的穩(wěn)定性問題探討

電壓跟隨器并非深?yuàn)W難懂，究其本質(zhì)而言，電壓跟隨器即共集電極電路。本文對(duì)于電壓跟隨器的講解，主要在于介紹運(yùn)放構(gòu)成電壓跟隨器的穩(wěn)定性問題。此外，文章第一部分將簡(jiǎn)單介紹何為電壓跟隨器。如果你對(duì)本文涉及的電壓跟隨器相關(guān)內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)閱讀以下正文部分。

發(fā)表于：1/16/2020

解讀CANDT測(cè)試項(xiàng)“總線輸入電壓限值測(cè)試”

　　摘要：為了保證CAN總線物理層的一致性，CANDT系統(tǒng)參考ISO11898-2標(biāo)準(zhǔn)及主流車企標(biāo)準(zhǔn)對(duì)CAN節(jié)點(diǎn)相關(guān)的參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，本文主要對(duì)CANDT的測(cè)試項(xiàng)—總線輸入電壓限值測(cè)試進(jìn)行解讀。

發(fā)表于：1/15/2020

【4200 SMU應(yīng)用文章】之實(shí)例篇：測(cè)量范德堡法電阻率和霍爾電壓

半導(dǎo)體材料研究和器件測(cè)試通常要測(cè)量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導(dǎo)體材料的電阻率主要取決于體摻雜，在器件中，電阻率會(huì)影響電容、串聯(lián)電阻和閾值電壓。霍爾電壓測(cè)量用來推導(dǎo)半導(dǎo)體類型(n還是p)、自由載流子密度和遷移率。

發(fā)表于：1/15/2020

英飛凌攜手Rompower加強(qiáng)通用充電器系統(tǒng)解決方案開發(fā)能力

【2020年1月14日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）攜手Rompower加強(qiáng)其開發(fā)高效、緊湊型通用充電器的能力。這些采用通用USB-C接口的USB-PD（電能輸送）充電器，可為顯示器或智能音箱等供電，也能為智能手機(jī)或平板電腦等移動(dòng)終端的電池充電。如今，這些插頭還具備其它功能，比如給智能手機(jī)快速充電。使用USB-PD技術(shù)可讓智能手機(jī)在不到一小時(shí)內(nèi)充滿電。USB-PD充電器的成功離不開通用USB-C接口，相比廣泛使用的micro-USB接口和USB-A/B接口，它能實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和電能傳輸速率。

發(fā)表于：1/14/2020

CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅（SiC）功率模塊提供支持

　　比利時(shí)·蒙-圣吉貝爾，2020年1月14日 – 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。該新型柵極驅(qū)動(dòng)器板旨在為高功率密度轉(zhuǎn)換器提供支持，可以安全地驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)碳化硅功率模塊以實(shí)現(xiàn)低損耗，同時(shí)可以在空間受限的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、緊湊型電源或快速電池充電器內(nèi)部的高溫環(huán)境中運(yùn)行。

發(fā)表于：1/14/2020

一種高穩(wěn)定性的無片外電容的LDO的設(shè)計(jì)

考慮到LDO應(yīng)用在無分立器件的情況下，針對(duì)在無片外電容和無片外電阻的情況下對(duì)LDO進(jìn)行研究設(shè)計(jì)，在無外接電容的情況下，LDO同樣能夠輸出穩(wěn)定電壓，以應(yīng)用在DC-DC轉(zhuǎn)換器中為內(nèi)部電路模塊進(jìn)行供電。并通過調(diào)整LDO內(nèi)部運(yùn)算放大器結(jié)構(gòu)以及對(duì)運(yùn)算放大器進(jìn)行米勒補(bǔ)償來調(diào)整其零極點(diǎn)，同時(shí)在運(yùn)算放大器內(nèi)部進(jìn)行電源隔離的處理，可以顯著提高其電源抑制比。最后利用華虹0.18 μm的BCD工藝進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果表明，此結(jié)構(gòu)具有高穩(wěn)定性，可以輸出穩(wěn)定電壓。

發(fā)表于：1/14/2020

GaN FET的結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)及應(yīng)用綜述

隨著電力電子裝置的小型化和輕量化，寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN FET優(yōu)于Si器件的特性使其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用受到廣泛關(guān)注。在GaN FET的發(fā)展中，其結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)對(duì)其安全應(yīng)用至關(guān)重要。首先介紹了目前GaN FET器件的主要結(jié)構(gòu)、工作原理及其產(chǎn)品現(xiàn)狀；其次，總結(jié)了其驅(qū)動(dòng)電路的隔離方式、常用的分立式驅(qū)動(dòng)電路和集成式驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及原理；最后，對(duì)GaN FET在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用情況進(jìn)行了概述。

發(fā)表于：1/10/2020

關(guān)于配電網(wǎng)建設(shè)中配網(wǎng)設(shè)備選型的探討

我國(guó)電能質(zhì)量問題和停電造成的經(jīng)濟(jì)損失及其社會(huì)影響越來越大，高可靠性和高質(zhì)量的電能成為打造高品質(zhì)產(chǎn)品、吸引國(guó)內(nèi)外資本、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化和升級(jí)的重要基礎(chǔ)條件。通過對(duì)比分析國(guó)內(nèi)大城市與東京巴黎新加坡等國(guó)際先進(jìn)城市在配電網(wǎng)設(shè)備技術(shù)選型、配置原則、質(zhì)量保障等方面的差異，結(jié)合配電網(wǎng)設(shè)備技術(shù)升級(jí)的發(fā)展方向，提出配電網(wǎng)設(shè)備水平的提升改進(jìn)的方向。

發(fā)表于：1/10/2020

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