9 月 1 日消息，消息人士 Kurnal 表示，根據(jù)日本芯片制造商 Rapidus 分享的其 2nm 尖端節(jié)點(diǎn) 2HP 的數(shù)據(jù)，進(jìn)行擬合計(jì)算后得出 Rapidus 2HP 工藝邏輯密度可達(dá) 237.31 MTr/mm2，與臺(tái)積電同代制程 N2 的 236.17 MTr/mm2 幾無差異。

▲ 圖源：Kurnal

注： 由于英特爾在 Intel 18A 節(jié)點(diǎn)引入的 BSPDN 背面供電技術(shù)對(duì)芯片設(shè)計(jì)的改變，其邏輯密度無法與非 BSPDN 的 2nm 系列制程直接比較。

這一數(shù)據(jù)顯示了 Rapidus 的 2nm 制程在 PPA 三個(gè)角度之一 Area（面積）端的良好表現(xiàn)，不過其綜合水平尚需 Power（功耗）和 Performance（性能）數(shù)據(jù)出爐方能判定，此外良率和生產(chǎn)效率也在一個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)是否能在商業(yè)上取得成功中起到關(guān)鍵作用。

Rapidus 已于今年 7 月完成了首塊 2nm GAA 晶圓的試制，目標(biāo)到 2027 年實(shí)現(xiàn) 25000 WPM（每月晶圓數(shù)量）規(guī)模的量產(chǎn)。