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Rapidus已啟動(dòng)2nm試產(chǎn) 明年一季度提供PDK

2025-07-21
來(lái)源:芯智訊
關(guān)鍵詞: Rapidus 2nm

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7月20日消息,據(jù)Tom’s hardware 的報(bào)導(dǎo),日本新創(chuàng)晶圓代工廠商Rapidus 已經(jīng)啟動(dòng)了2nm制程晶圓的測(cè)試生產(chǎn),并計(jì)劃推動(dòng)其IIM-1 廠區(qū)的2nm制程在2027年量產(chǎn)。

報(bào)道稱(chēng),Rapidus的IIM-1 廠區(qū)已經(jīng)展開(kāi)對(duì)采用2nm環(huán)繞柵極(GAA)晶體管技術(shù)的測(cè)試晶圓進(jìn)行原型制作。Rapidus公司確認(rèn),早期測(cè)試晶圓已達(dá)到預(yù)期的電氣特性,這表示其晶圓廠設(shè)備運(yùn)作正常,制程技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利。

業(yè)界分析稱(chēng),原型制作是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的一個(gè)重要里程碑,目的在驗(yàn)證使用新技術(shù)制造的早期測(cè)試電路是否可靠、高效并達(dá)到性能目標(biāo)。Rapidus 目前正在測(cè)量其測(cè)試電路的電氣特性,包括臨界電壓、驅(qū)動(dòng)電流、漏電流、次臨界斜率、開(kāi)關(guān)速度、功耗和電容等參數(shù)。盡管Rapidus 未公開(kāi)具體結(jié)果,但測(cè)試晶圓已在晶圓廠內(nèi)流動(dòng)本身就意義重大。

根據(jù)之前披露的信息顯示,Rapidus 的IIM-1 廠區(qū)自2023年9月動(dòng)工,無(wú)塵室于2024年完成,截至2025年6月已連接超過(guò)200套設(shè)備,包括先進(jìn)的DUV 和EUV光刻工具。Rapidus 于2024年12月安裝了先進(jìn)的EUV 工具,并于2025年4月成功進(jìn)行了首次曝光。目前,該廠區(qū)已足夠成熟運(yùn)行測(cè)試晶圓,讓Rapidus 測(cè)量其GAA 構(gòu)架電路的電氣特性,以識(shí)別潛在的制程問(wèn)題,并調(diào)整工具或制造步驟的設(shè)定。

報(bào)導(dǎo)強(qiáng)調(diào),Rapidus 在其公告中特別提到,其IIM-1 廠區(qū)將對(duì)所有前段制程步驟采用「單晶圓處理」方法。這是一種半導(dǎo)體制造方法,其中每片晶圓都是單獨(dú)處理、加工和檢查,而非以組合方式進(jìn)行。目前,英特爾、三星和臺(tái)積電等大型芯片制造商在其半導(dǎo)體制造過(guò)程中,采用組合和單晶圓處理方法的組合。單晶圓處理通常用于需要高精度的關(guān)鍵步驟,如EUV 和DUV 圖形化、等離子蝕刻、原子層沉積或缺陷監(jiān)控。而對(duì)于氧化、離子植入、清洗和退火等其他步驟,它們則以組合方式處理晶圓。

Rapidus 計(jì)劃將單晶圓方法應(yīng)用于所有制程步驟,包括氧化、離子植入、圖形化、沉積、蝕刻、清洗和退火等。Rapidus 表示,這種方法能精確控制每次操作,因?yàn)榭梢愿鶕?jù)單片晶圓的條件或結(jié)果進(jìn)行具體調(diào)整。由于每片晶圓都是獨(dú)立處理的,工程師可以即時(shí)微調(diào)參數(shù),提早檢測(cè)異常,并迅速應(yīng)用校正,無(wú)需等待整個(gè)組合測(cè)試的完成。

此外,這種方法產(chǎn)生每片晶圓的高分辨率數(shù)據(jù)量更大,可用于監(jiān)控和優(yōu)化制造條件的AI 算法。這些算法可能能夠更快的收集信息,用于持續(xù)制程改進(jìn)(CPI)以降低缺陷密度和提高良率,以及用于統(tǒng)計(jì)制程控制(SPC)以減少性能變異。單晶圓制程系統(tǒng)也更容易改變?cè)O(shè)定并在小批量和大量生產(chǎn)之間切換,這對(duì)Rapidus 來(lái)說(shuō)很重要,因?yàn)槠淠繕?biāo)是服務(wù)較小的制造商。

然而,這種方法也存在一些必須條件。由于晶圓一次一片的處理,每個(gè)工具的產(chǎn)量(某些工具)會(huì)比大量處理低,可能延長(zhǎng)生產(chǎn)周期時(shí)間,并增加生產(chǎn)成本。這使得所需的設(shè)備更復(fù)雜且昂貴,而且單獨(dú)協(xié)調(diào)所有步驟中晶圓的移動(dòng)會(huì)增加額外開(kāi)銷(xiāo)。盡管如此,Rapidus 相信,盡管前期成本較高且處理速度較慢,但在缺陷減少、良率提升和調(diào)節(jié)制程控制方面的長(zhǎng)期效益,可以使單晶圓處理成為2奈米及更先進(jìn)芯片生產(chǎn)的有力策略。

為了支持早期客戶,Rapidus 正在準(zhǔn)備于2026年第一季發(fā)表其制程開(kāi)發(fā)套件(PDK)的第一個(gè)版本,同時(shí)也致力于為客戶在IIM-1 廠區(qū)進(jìn)行芯片設(shè)計(jì)原型制作提供所需基礎(chǔ)設(shè)施。


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