7 月 22 日消息，韓媒 chosu 今天（7 月 22 日）發布博文，援引供應鏈消息，報道稱三星已啟動“精選和聚焦”戰略，集中資源提升 2nm 工藝良率，希望通過產量和成本優勢來挑戰臺積電。

消息源表示三星電子預估，2nm 芯片需求至少會持續 3 年以上，為了避免重復 3nm 工藝的失敗，公司正致力于加強芯片散熱和穩定性，并進一步提高芯片性能。

三星電子目前正在平澤等園區建設 2nm 工藝生產線，并推遲 1.4nm 工藝量產計劃至 2029 年（原計劃 2027 年量產），以便集中精力提高 2nm 工藝的良率。

將原計劃在 2027 年量產的 1.4 納米工藝推遲到 2029 年，以便集中精力提高 2 納米工藝的收益率。三星電子的 GAA 晶體管技術，在 2 納米工藝中也可應用，這有助于技術穩定。

本月曾報道，臺積電、英特爾、三星電子的 2nm 代工節點（N2、Intel 18A、SF2）良率分別約為 65%、55%、40%，而三星的目標是將良率提升到 70%。

三星在提升良率同時，將進一步擴展部署全環繞柵極（GAA）晶體管方案，第二代工藝已基本完成設計，目前正研究名為“SF2P+”第三代工藝，并計劃在未來 2 年內實施。

圖源：WccFtech

盡管道路艱難，但最新報告顯示，三星正在逐步改進其下一代光刻技術，預計該節點制造的芯片在未來四年內將會有巨大需求。