7 月 21 日消息,據(jù)韓媒《亞洲日報》今日報道,三星已準備在本月底前向 AMD 和英偉達等客戶提供 HBM4 樣品。
據(jù)悉,三星在 HBM(高帶寬內存)市場的表現(xiàn)一直不是很理想,特別是在 HBM3 方面推進遲緩。由于未能及時通過英偉達等公司的認證,嚴重影響了其營收表現(xiàn)。這種狀況雖然在 HBM3E 標準推出后有所改善,但三星仍未能打入英偉達的主流供應鏈。
不過,這種情況極有可能將發(fā)生改變,三星計劃應用 10 納米級第六代(1c)DRAM 工藝,開發(fā)更精密、良率更高的 HBM4。后續(xù)三星和 SK 海力士都計劃在下半年正式量產 HBM4,并從明年起全面展開競爭,改變如今 SK 海力士獨家向英偉達供應 HBM3E 的現(xiàn)狀。
隨著 HBM 供應鏈廠商的增加,英偉達將獲得明年發(fā)布的新款 AI 加速器“Rubin”的定價主導權,預計 AMD 的 MI400 也將如此。
投資銀行高盛對此分析道:“由于競爭加劇,預計明年 HBM 的價格將下跌 10%。HBM 的定價權將從制造商轉移到以英偉達為代表的客戶手中”。這意味著 SK 海力士壟斷 80-90% 英偉達訂單的局面將不復存在。
就算三星未能通過英偉達的相關認證,HBM 的價格也將下降。因為英偉達可能用已通過認證的美光作為籌碼,要求 SK 海力士給出一個合理的價格。
HBM(高帶寬內存)是三星電子、AMD 和 SK 海力士發(fā)起的一種基于 3D 堆棧技術的高性能 DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合,可與高性能 GPU、網絡交換及轉發(fā)設備、高性能數(shù)據(jù)中心的 AI ASIC 結合使用。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。