6月27日消息，美光本周在最新的財報電話會議中宣布，已開始向客戶提供采用導(dǎo)入極紫外光（EUV）光刻技術(shù)的新一代1γ（1-gamma）制程的首批LPDDR5X 內(nèi)存樣品。這也顯示美光已正式進入EUV DRAM 制程時代。

美光CEO Sanjay Mehrotra 指出，目前1γ DRAM 技術(shù)節(jié)點上進展非常順利，良率爬升速度甚至超越1?（1-beta）節(jié)點紀錄。美光在本季完成多項關(guān)鍵產(chǎn)品里程碑，包括首批基于1γ 制程的LPDDR5 DRAM 認證樣品出貨。

據(jù)介紹，1γ 制程是美光第六代10nm級制程節(jié)點，擁有業(yè)界最快的 10.7 Gbps速率，與前一代1?相比性能提升15%、功耗降低20%。此外，1γ 的位密度增加30%，隨著良率提升有望進而降低生產(chǎn)成本。除了1γ 制程的LPDDR5X 之外，美光今年也將推出基于1γ 制程的16Gb DDR5-9200 內(nèi)存芯片，主打更高性能與更低功耗，不過還沒公布產(chǎn)品最新進展。

展望未來，美光計劃全面導(dǎo)入第六代10nm級1γ 制程，涵蓋DDR5、LPDDR5X、GDDR7 及數(shù)據(jù)中心相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品線。Mehrotra 強調(diào)，將在所有DRAM 產(chǎn)品在線導(dǎo)入1γ 制程，發(fā)揮此領(lǐng)先技術(shù)的最大效益。

雖然美光尚未透露有多少層使用EUV 技術(shù)，但推測可能主要用于原本需繁復(fù)多重曝光的關(guān)鍵層。美光已在日本啟用首臺EUV 設(shè)備，并開始量產(chǎn)1γ DRAM，未來也將在日本與中國臺灣擴大EUV DRAM產(chǎn)能。