6 月 11 日消息，韓媒 ETNews 當地時間昨日報道稱，三星電子在 DRAM 內存領域率先導入干式光刻膠 (Dry PR) 技術，將應用于到即將正式推出的第 6 代 10 納米級工藝 (1c nm) 中。
消息指三星電子已完成了干式光刻膠涂覆、顯影等工序所需的多臺泛林集團 (Lam Research) 所需設備。
不同于使用溶液旋涂、需要溶劑沖洗的傳統濕式光刻膠，干式光刻膠直接沉積到晶圓表面，這避免了光刻膠去除過程中液體表面張力影響圖案完整性的問題。此外干式光刻膠也具有更高的曝光效率、能實現更為精細的線寬。
三星電子計劃將 1c nm DRAM 應用在其 HBM4 產品中，干式光刻膠對圖案質量的提升有望成為提高 HBM4 堆棧信號完整性與可靠性的物理起點。
泛林集團今年 1 月 29 日已宣布其干式光刻膠已得到一家領先存儲器制造商在最先進 DRAM 工藝上的導入。
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