10 月 15 日消息，《韓國經濟日報》今日報道稱，三星電子計劃投入約 1.1 萬億韓元（注：現匯率約合 54.92 億元人民幣）引進兩臺最新的 High-NA 雙級極紫外（EUV）光刻機。
據業內人士透露，三星電子此前僅在京畿道園區引進過一臺用于研發的 High-NA EUV 設備，此次引進的機器將用于“產品量產”，尚屬首次。三星電子計劃在年內引進一臺，并在明年上半年再引進一臺。
Twin Scan EXE:5200B 是第二款 0.55 數值孔徑（NA）或“High-NA”極紫外光刻系統，也是 TWINSCAN EXE:5000 的升級版，在提升對準精度的同時顯著提高了生產效率，被視為生產下一代半導體芯片和高性能 DRAM 的必備設備。
相較于 NXE 系統，EXE:5200B 成像對比度提升 40%，分辨率達 8nm，使芯片制造商能夠通過單次曝光實現比 TWINSCAN NXE 系統精細 1.7 倍的電路刻蝕，從而將晶體管密度提升至原來的 2.9 倍。這有助于降低大規模生產中的工藝復雜性，提高客戶晶圓廠的晶圓產量。
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