1 月 3 日消息，韓媒《Chosun Biz》當地時間今日報道稱，三星電子 DS 部門內存（注：即存儲器）業務部最近完成了 HBM4 內存邏輯芯片設計；Foundry 業務部現已根據該設計采用 4nm 制程啟動試生產。
待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發的 HBM4 內存樣品。
▲ 三星電子的 HBM 內存
邏輯芯片也稱基礎裸片、接口芯片，在整體 HBM 內存堆棧中起到“大腦”的作用，負責控制其上方多層 DRAM Die。在 HBM4 世代，由于內存堆棧 I/O 引腳數量加倍、需集成更多功能等一系列因素，三大內存原廠均采用邏輯半導體代工制造邏輯芯片。
業內人士表示，運行時的發熱是 HBM 內存的最大敵人，而在堆棧整體中邏輯芯片更是發熱大戶，采用先進制程制造邏輯芯片有助于改善 HBM4 的能效與性能表現。
三星電子試圖在 HBM4 上采取相對激進的技術路線以挽回在 HBM3 (E) 世代因質量原因而丟失的 HBM 內存市場份額：除采用自家 4nm 工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在 HBM4 上導入 1c nm 制程 DRAM Die，并有望在 16Hi 堆棧中引入無凸塊的混合鍵合技術。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。