當(dāng)?shù)貢r間12月2日，美國《聯(lián)邦公報》網(wǎng)站公布了由美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）修訂的新的《出口管制條例》（EAR），在正式將140家中國半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)列入了實體清單的同時，還公布了對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的出口管制規(guī)則。

隨著生成式人工智能（AI）的持續(xù)火爆，市場對于高性能AI芯片的需求暴漲，這也直接帶動了此類AI芯片內(nèi)部所集成的HBM（高帶寬內(nèi)存）需求的爆發(fā)。所謂HBM，是指通過多個DRAM芯粒3D堆疊而成的，具備高帶寬、高存儲密度、低功耗和緊湊尺寸等優(yōu)勢。HBM往往與GPU、AI ASIC直接集成封裝在一顆芯片當(dāng)中，這也直接提升了數(shù)據(jù)搬運的效率，無論在AI和HPC應(yīng)用中，其帶來的高帶寬、高容量、低時延特性，對大模型訓(xùn)練和推理效率的提升至關(guān)重要。

對于美國來說，為了阻止中國AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，自2022年10月就開始出臺限制政策，直接限制中國獲取外部先進的AI芯片以及內(nèi)部制造先進AI芯片的能力。而HBM作為高性能AI芯片所需的關(guān)鍵元件，自然也就成為了美國限制的一個方面。

在BIS最新公布的限制規(guī)則當(dāng)中，對于之前針對存儲芯片的“高級節(jié)點集成電路”限制進行了更新，加入了新的限制規(guī)則。具體來說，包括符合以下任何標(biāo)準(zhǔn)的集成電路都將受到限制：

（1） 使用非平面晶體管架構(gòu)或具有16/14納米或更小“生產(chǎn)”“技術(shù)節(jié)點”的邏輯集成電路；

（2） 128層或更多層的NAND存儲器集成電路；或

（3） 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）集成電路，具有：（i） 存儲單元面積小于0.0019μm2；或（ii）存儲器密度大于0.288Gb/mm2。

可以看到，新增的第三條限制就是針對HBM的，因為HBM就是將多個DRAM通過TSV工藝堆疊封裝在一起，因此其存儲單元面積和密度必然會比較高。

新規(guī)則不僅適用于美國原產(chǎn)的 HBM ，同時還將限制根據(jù)先進計算外國直接產(chǎn)品 (FDP) 規(guī)則受 EAR 約束的外國生產(chǎn)的 HBM。新規(guī)中規(guī)定僅當(dāng) 3A090.c 項的Memory bandwidth density小于3.3 GB/s/mm2 時，才可獲得HBM例外以進行出口、再出口或轉(zhuǎn)讓（國內(nèi)）。只有小于此參數(shù)的 HBM 才可獲得例外許可授權(quán)。

此許可例外授權(quán)出口、再出口和轉(zhuǎn)讓（國內(nèi)），前提是：(1) 出口、再出口或轉(zhuǎn)讓（國內(nèi)）由包裝場所完成，即使包裝場所位于受關(guān)注的國家境內(nèi)，也由美國或盟國總部的公司擁有和運營，從而減輕了對這些目的地的國家安全擔(dān)憂；(2) 美國或盟國總部的公司仔細跟蹤包裝場所發(fā)送和返回的 HBM，并解決差異或向 BIS 報告。

按照分析，該限制將使得包括HBM2和HBM3、HBM3e等所有HBM芯片的對華出口將會受限。并且，SK海力士、美光和三星是全球主要的三家HBM供應(yīng)商的相關(guān)HBM對華出口都將會受限。

不過，新增的規(guī)則只適用于單獨HBM堆棧，對于整個芯片封裝系統(tǒng)中的板載HBM則排除在外，也就是說英偉達等廠商的對華特供的AI芯片上封裝的HBM是不受限制的，即英偉達的H20之類的AI芯片上封裝的HBM不受該規(guī)則影響，適用于之前的針對AI芯片的 3A090a 和 3A090b規(guī)則限制，即對于性能密度和帶寬的限制。