9 月 11 日消息，韓國 One Semiconductor 當(dāng)?shù)貢r間本月 8 日宣布，成功實現(xiàn) DDR5 第二子代（IT之家注：支持 5600MT/s）RCD 芯片的開發(fā)與量產(chǎn)，產(chǎn)品已獲一家美國 CPU 制造商認(rèn)證。

內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域目前由中國瀾起、美國 Rambus 和日本瑞薩三家企業(yè)主導(dǎo)，其它參與方逐漸淡出市場舞臺。在 One Semiconductor 之前，坐擁 DRAM 三巨頭之二的韓國卻沒有一家能提供內(nèi)存接口芯片的企業(yè)。

不過作為新來的挑戰(zhàn)者， One Semiconductor 仍需時日來積累技術(shù)實力才能與瀾起、Rambus、瑞薩在適用于服務(wù)器 RDIMM 內(nèi)存條的 RCD 寄存時鐘驅(qū)動器領(lǐng)域展開正面競爭：

以 One Semiconductor 此次推出的 DDR5 第二子代 RCD 產(chǎn)品為例，Rambus 的本代產(chǎn)品發(fā)布于 2021 年 10 月，瀾起的這代產(chǎn)品則在 2022 年 5 月試產(chǎn)。

而在最先進(jìn)的 DDR5 RCD 產(chǎn)品上，瀾起、Rambus 均已推出了第四子代產(chǎn)品，瑞薩的第三子代產(chǎn)品也早已于 2023 年中發(fā)布。

One Semiconductor 表示其 DDR5 第二子代 RCD 芯片正接受其它 CPU 制造商的產(chǎn)品認(rèn)證，服務(wù)廠商方面的認(rèn)證流程也在推進(jìn)過程中，目標(biāo)在 2024 年四季度進(jìn)入全面量產(chǎn)階段；該企業(yè)還將進(jìn)軍 HBM 內(nèi)存配套方案領(lǐng)域。