3 月 27 日消息，《華爾街日報》昨日稱，SK 海力士計劃投資約 40 億美元（當前約 289.2 億元人民幣）在美國印第安納州西拉斐特建造一座先進芯片封裝廠，并計劃于 2028 年投產。
對此，SK 海力士在一份聲明中表示，公司正審查其在美國投資先進芯片封裝的計劃，但尚未作出決定。
知情人士對《華爾街日報》透露，SK 海力士董事會預計很快就會批準這一決定，此舉將推動美國政府恢復美國半導體大國地位的雄心，預計將創造約 800~1000 個新工作崗位。
公開資料顯示，SK 海力士的工廠毗鄰普渡大學，普渡大學是美國最大的半導體和微電子工程項目之一的所在地。
消息人士稱，SK 海力士還曾考慮過亞利桑那州，例如臺積電和英特爾都在該州設立了工廠，但考慮到能夠通過普渡大學獲得工程師人才庫的優勢，SK 海力士最終選擇了印第安納州。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。