中國(guó)臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》稱(chēng)：經(jīng)多方評(píng)比后，臺(tái)積電最終決定將最先進(jìn)的 1nm 制程代工廠(chǎng)選址定在嘉義科學(xué)園區(qū)，總投資額超萬(wàn)億新臺(tái)幣（IT 之家備注：當(dāng)前約 2290 億元人民幣）。

對(duì)于這一傳聞，臺(tái)積電表示，選擇設(shè)廠(chǎng)地點(diǎn)有諸多考量因素，臺(tái)積電以中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)作為主要基地，不排除任何可能性，也持續(xù)與管理局合作評(píng)估合適的半導(dǎo)體建廠(chǎng)用地。

消息人士透露，臺(tái)積電 1nm 制程將落腳嘉義科學(xué)園區(qū)，臺(tái)積電已向相關(guān)管理局提出 100 公頃用地需求，其中 40 公頃將先設(shè)立先進(jìn)封裝廠(chǎng)，后續(xù)的 60 公頃將作為 1nm 建廠(chǎng)用地。業(yè)界估，臺(tái)積電 1nm 總投資額將逾萬(wàn)億新臺(tái)幣。

在上個(gè)月舉行的 IEDM 2023 會(huì)議上，臺(tái)積電制定了提供包含 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片封裝路線(xiàn)，這一計(jì)劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類(lèi)似。

為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，該公司重申正在致力于 2nm 級(jí) N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，以及 1.4nm 級(jí) A14 和 1nm 級(jí) A10 制造工藝，預(yù)計(jì)將于 2030 年完成。

此外，臺(tái)積電預(yù)計(jì)封裝技術(shù)（CoWoS、InFO、SoIC 等）將不斷取得進(jìn)步，使其能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過(guò) 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管的大規(guī)模多芯片解決方案。

據(jù)此前報(bào)道，臺(tái)積電在會(huì)議上還透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開(kāi)始量產(chǎn)。

前段時(shí)間還有消息稱(chēng)，臺(tái)積電計(jì)劃正在新竹科學(xué)園區(qū)和高雄楠梓園區(qū)內(nèi)新建 5 座晶圓廠(chǎng)，其中第一座目前已經(jīng)破土動(dòng)工，計(jì)劃 2025 年 1 月前搬入首部機(jī)臺(tái)；而臺(tái)積電園區(qū)在該園區(qū)的第 2 座晶圓廠(chǎng)有望近期動(dòng)工。