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Vishay推出業界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非對稱雙芯片封裝60 V MOSFET

緊湊型5mm x 6mm器件可助力汽車行業節省空間并提高開關模式電源的效率
2020-12-16
來源:Vishay
關鍵詞: Vishay 雙芯片 封裝 MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2020年12月15日 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,這是采用PowerPAK? SO-8L非對稱雙芯片封裝的業界首款此類器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在滿足汽車行業節省空間以及提高DC/DC開關模式電源效率的需求。這個新器件在一個5mm x 6mm的緊湊型封裝中集成了一個高邊和一個低邊MOSFET,低邊MOSFET的最大導通電阻低至8.6 mW。

 

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與單個MOSFET解決方案相比,通過將兩個TrenchFET? MOSFET封裝在一個非對稱封裝中,今天發布的這款汽車級器件減少了元件數量和電路板空間需求,同時提高了功率密度。此外,其控制(高邊)和同步(低邊)MOSFET在裸片尺寸上的優化組合,可在占空比低于50%的功率轉換中提供高于對稱雙器件的效率。

SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V時最大導通電阻為20 mW,典型柵極電荷為9.2 nC,而通道2 MOSFET在10 V時的導通電阻為8.6 mW,典型柵極電荷為19.2 nC。由于沒有內部連接的開關節點,SQJ264EP為設計人員提供了將晶體管配置為不同拓撲的靈活性,包括同步降壓或同步升壓DC/DC轉換器。

由于可在超過+175℃的高溫環境下工作,雙MOSFET能夠提供信息娛樂系統、顯示器、LED照明以及電動自行車等汽車應用所需的耐用性和可靠性。此外,與QFN單封裝和雙封裝相比,SQJ264EP的鷗翼引線允許在其引腳下方實現更好的焊料流,增強自動光學檢查(AOI)能力以及更高的板級可靠性。

這些MOSFET 100%通過了Rg和UIS測試,符合RoHS要求,不含鹵素。

SQJ264EP的樣品和批量產品現已開始提供,大宗訂單的交貨期為12周。

 


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