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Vishay推出多款采用工業標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應用效率

40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC
2025-03-03
來源:VISHAY

  美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年2月27日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率,在同類二極管中,它們在電容電荷(Qc)和正向壓降之間實現了出色的平衡。

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  日前發布的二極管包括40 A至240 A的并聯雙二極管組件,以及50 A至90 A單相橋器件。這些二極管基于先進的薄晶圓技術制造,正向壓降低至1.36 V,顯著減小導通損耗,提高能效。此外,與硅基二極管相比,這些器件具有更好的反向恢復參數,幾乎沒有恢復尾電流。

  這些器件的典型應用包括AC/DC功率因數校正(PFC),以及用于光伏系統、充電站、工業不間斷電源(UPS)和電信電源的反激式(FBPS)和LLC轉換器中的DC/DC超高頻輸出整流。在這些應用環境下,二極管QC低至56 nC,可實現高速開關,其采用的行業標準封裝可直接替代競品解決方案。

  這些二極管可在高達 +175 °C高溫下工作,并且具有正溫度系數便于并聯。這些器件通過UL E78996認證,其特點是端子之間具有較大的爬電距離,以及簡化的機械設計,便于快速組裝。

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  新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為18周。




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