·英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持
·未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性
·此類產品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數據中心等應用場景中的功率密度
【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發電、儲能系統及AI數據中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，客戶可同時從英飛凌與羅姆采購兼容封裝的產品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現產品切換。此次合作將顯著提升客戶在設計與采購環節的便利性。
英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁 Peter Wawer表示：“我們很高興能夠通過與羅姆的合作進一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作將為客戶在設計和采購流程中提供更豐富的選擇與更大的靈活性，同時還有助于開發出能夠推動低碳進程的高能效應用方案。”
羅姆董事兼常務執行官、功率器件事業部負責人伊野和英表示：“羅姆的使命是為客戶提供最佳解決方案。與英飛凌的合作將有助于拓展我們的解決方案組合，同時也是實現這一目標的重要一步。我們期待通過此次合作，能夠在推進協同創新的同時降低復雜性，進一步提升客戶滿意度，共同開拓功率電子行業的未來。”
作為此次合作的一部分，羅姆將采用英飛凌創新的SiC頂部散熱平臺（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封裝）。該平臺將所有封裝統一為2.3mm的標準化高度，不僅簡化設計流程、降低散熱系統成本，更能有效利用基板空間，功率密度提升幅度最高可達兩倍。
同時，英飛凌將采用羅姆的半橋結構SiC模塊“DOT-247”，并開發兼容封裝。這將使英飛凌新發布的Double TO-247 IGBT產品組合新增SiC半橋解決方案。羅姆先進的DOT-247封裝相比傳統分立器件封裝，可實現更高功率密度與設計自由度。其采用將兩個TO-247封裝連接的獨特結構，較TO-247封裝降低約15%的熱阻和50%的電感。憑借這些特性，該封裝的功率密度達到TO-247封裝的2.3倍。
英飛凌與羅姆計劃未來擴大合作范圍，將涵蓋采用硅基及碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶功率技術的更多封裝形式。此舉也將進一步深化雙方的合作關系，為客戶提供更廣泛的解決方案與采購選擇。
SiC功率器件通過更高效的電力轉換，不僅增強了高功率應用的性能表現，在嚴苛環境下展現出卓越的可靠性與堅固性，同時還使更加小型化的設計成為可能。借助英飛凌與羅姆的SiC功率器件，客戶可為電動汽車充電、可再生能源系統、AI數據中心等應用開發高能效解決方案，實現更高功率密度。
