頭條 英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構！ 早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構。由于 MCU 內核是通用的，因此可以在英偉達的產品中廣泛使用。根據英偉達當時的預計，2024年英偉達將交付10億個內置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，Frans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術委員會代表，也是相關規(guī)范的貢獻者。英偉達產品中的微控制器都是基于RISC-V架構，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 重磅！美國同意三星和SK海力士向中國工廠無限期提供芯片設備 據央視新聞，北京時間10月9日下午：韓國總統辦公室宣布，美國政府已同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，而且無限期豁免、無需其它許可。 發(fā)表于：10/10/2023 2023年中國集成電路設計業(yè)呈現哪些變化？未來走向如何？權威報告即將在ICCAD上隆重發(fā)布 11月10-11日，中國集成電路設計業(yè)2023年會暨廣州集成電路產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇（第29屆ICCAD設計年會）即將在廣州保利世貿博覽館召開。 發(fā)表于：10/10/2023 一種基于SiP技術的高性能信號處理電路設計 系統級封裝（System in a Package，SiP）已成為后摩爾時代縮小電子器件體積、提高集成度的重要技術路線，是未來電子設備多功能化和小型化的重要依托。針對信號處理系統小型化、高性能的要求，采用SiP技術設計了一種高性能信號處理電路。該SiP電路集成了多種裸芯，包括DSP、NOR Flash、DDR3和千兆網PHY芯片，實現了一種通用的信號處理核心模塊的小型化，相比于傳統板級電路在同樣的功能和性能的條件下，該SiP電路的體積和重量更小。 發(fā)表于：9/22/2023 C波段高效率內匹配功率放大器設計* 闡述了一款內匹配功率放大器的設計過程和測試結果。該放大器工作在5~5.8 GHz，采用氮化鎵HEMT工藝，在28 V漏極供電電壓下實現了48 dBm輸出功率和55%功率附加效率。同時，該內匹配放大器將柵極和漏極偏置電路設計在芯片內部，無需在外部設計偏置電路，在保證功放性能的同時實現了小型化。該設計充分體現了GaN內匹配電路的高功率、高效率、小型化的優(yōu)勢。 發(fā)表于：9/22/2023 一種基于CLASS-AB類運放的無片外電容LDO設計* 介紹了一種基于CLASS-AB類運放無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。電路在高擺率誤差放大器（EA）的基礎上，通過構建動態(tài)偏置電路反饋到EA內部動態(tài)偏置管，大幅改善了LDO的瞬態(tài)響應能力，且動態(tài)偏置電路引入的左半平面零點保證了LDO的環(huán)路穩(wěn)定性。同時，EA采用過沖檢測電路減小了輸出過沖，縮短了環(huán)路穩(wěn)定時間。電路基于65 nm CMOS工藝設計和仿真。仿真結果表明，在負載電流10 μA~50 mA、輸出電容0~50 pF條件下，LDO輸出穩(wěn)定無振蕩。在LDO輸入2.5 V、輸出1.2 V、無片外電容條件下，控制負載在10 μA和50 mA間跳變，LDO輸出恢復時間為0.7 μs和0.8 μs，下沖和上沖電壓為58 mV和15 mV。 發(fā)表于：9/22/2023 杰華特如何全方位打造高性能模擬芯片 杰華特如何全方位打造高性能模擬芯片 杰華特微電子受邀出席第五屆中國模擬半導體大會，并發(fā)表題為“全要素打造高性能模擬芯片”的演講 自成立以來，杰華特始終致力于提供高集成度、高性能與高可靠性的電源管理等芯片產品，為客戶提供一站式采購服務。公司擁有豐富的產品組合、廣泛的市場布局以及嚴格的質量管控。目前，產品涵蓋DC-DC、AC-DC、線性電源、電池管理、信號鏈等產品線；應用范圍涉及汽車電子、新能源、計算與通訊、工業(yè)應用、消費電子等眾多領域，并已獲得眾多頭部客戶資源及認可。 發(fā)表于：9/22/2023 德州儀器推出全新隔離產品系列，可將高電壓應用的使用壽命延長至 40 年以上 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出基于信號隔離半導體技術的全新光耦仿真器產品系列，旨在提高信號完整性、降低功耗并延長高電壓工業(yè)和汽車應用的使用壽命。這是德州儀器第一款與業(yè)內常見的光耦合器引腳對引腳兼容的光耦仿真器，可無縫集成到現有設計中，同時能充分發(fā)揮基于二氧化硅 (SiO2) 的隔離技術的獨特優(yōu)勢。如需了解更多信息，請訪問 TI.com/opto-emulators。 發(fā)表于：9/20/2023 億鑄科技榮登中國AI芯片企業(yè)新銳企業(yè)榜TOP10 億鑄科技榮登中國AI芯片企業(yè)新銳企業(yè)榜TOP10 2023年9月19日 – 由國內權威的智能行業(yè)媒體智東西主辦的GACS 2023全球AI芯片峰會于9月14-15日在深圳隆重舉行，會上公布了2023年度中國AI芯片企業(yè)榜，億鑄科技榮登2023年度中國AI芯片企業(yè)新銳企業(yè)榜TOP10。 發(fā)表于：9/19/2023 羅徹斯特電子攜手Semtech為客戶提供混合信號解決方案 羅徹斯特電子攜手Semtech為客戶提供混合信號解決方案 羅徹斯特電子與Semtech攜手合作，為客戶提供廣泛的混合信號解決方案，這些產品不僅包括停產元器件，還有部分當前仍在量產期。羅徹斯特電子致力于持續(xù)供應關鍵半導體器件，通過為客戶提供可靠的半導體元器件，滿足客戶對Semtech產品的長期需求。 發(fā)表于：9/19/2023 意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。 發(fā)表于：9/14/2023 ?…215216217218219220221222223224…?
