中文引用格式： 劉鴻睿，趙宏亮，尹飛飛. C波段高效率內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用，2023，49(9)：58-62.
英文引用格式： Liu Hongrui，Zhao Hongliang，Yin Feifei. Design of high efficiency internal matching power amplifier of C band[J]. Application of Electronic Technique，2023，49(9)：58-62.
0 引言
在射頻功率放大器中，高功率密度、高效率是人們一直追求的目標(biāo)。目前主流的射頻功率放大器設(shè)計(jì)方案分為單片微波集成電路（Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC）、射頻功率模塊和內(nèi)匹配三種形式。內(nèi)匹配功率放大器是一種混合集成電路（Hybrid Integrated Circuit, HIC），它可以將多種不同襯底材料、不同工藝的裸芯片通過粘接、焊接、共晶等工藝裝配在同一個(gè)載片上。與其他兩種形式相比，內(nèi)匹配具有大功率、低成本、小型化的優(yōu)點(diǎn)[1]。由于內(nèi)匹配將管芯、無源電路、偏置電路分別設(shè)計(jì)在不同的襯底上，它可以實(shí)現(xiàn)不同工藝的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。但也正是這個(gè)因素，給內(nèi)匹配功放的設(shè)計(jì)帶來很多不確定性。因此，高性能內(nèi)匹配功率放大器是近年來研究的重點(diǎn)[2-3]。根據(jù)電氣與電子工程師協(xié)會(huì)（Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE）對(duì)電磁波頻譜的劃分，C波段指的是頻率在4~8 GHz范圍的電磁波，該頻段包含了衛(wèi)星下行頻段、5G移動(dòng)通信頻段、雷達(dá)頻段等，用途較為廣泛，具有廣闊的市場(chǎng)前景。本文基于氮化鎵高電子遷移率晶體管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）技術(shù)，設(shè)計(jì)了一款高效率C波段50 W內(nèi)匹配功率放大器，其在飽和輸出功率48 dBm下可以實(shí)現(xiàn)55%的功率附加效率（Power Added Efficiency, PAE），同時(shí)可裝配在8 mm×8 mm載片上，實(shí)現(xiàn)了小型化，可廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星、雷達(dá)、移動(dòng)通信等領(lǐng)域中[4-6]。
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作者信息：
劉鴻睿，趙宏亮，尹飛飛 （遼寧大學(xué) 物理學(xué)院，遼寧 沈陽(yáng) 110036）
