頭條 英偉達官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構！ 早在2024年10月，英偉達在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構。由于 MCU 內核是通用的，因此可以在英偉達的產品中廣泛使用。根據英偉達當時的預計，2024年英偉達將交付10億個內置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內核在英偉達硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，Frans Sijstermanns也指出，英偉達是RVI和RISE的董事會成員和技術委員會代表，也是相關規范的貢獻者。英偉達產品中的微控制器都是基于RISC-V架構，具有可配置、可擴展和安全保護功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 海思有望在本月推出 LCoS 激光投影技術方案 洛圖科技今天發布 2024 年中國智能投影線上市場分析報告，其中提到今年投影機技術和供應鏈將發生變化，隨著國產芯片商海思開始向 LCoS 激光投影技術發力，今年投影儀市場許多廠商會推出搭載相關技術的產品。 發表于：3/4/2024 三星：考慮將MUF技術應用于服務器 DRAM 內存 據 TheElec，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內存的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現了一定惡化。 經過測試，該公司得出結論，MUF 不適用于高帶寬內存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術制造，主要用于服務器。 MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的 TSV 工藝后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆疊的多個半導體牢固地固定并連接起來。 發表于：3/4/2024 AMD：無法兼容Intel Wi-Fi 7網卡 Intel 近日發布了新版 Wi-Fi 7 無線網卡驅動，增加新功能，修復已知 Bug，但遺憾的是，依然和 AMD 系統不對付。 新驅動在 Windows 10/11 64 位下版本號為 23.30.0，Windows 10 32 位下版本號為 22.160.0。 發表于：3/4/2024 三星SDI敲定匈牙利第三工廠計劃 據 TheElec，三星 SDI 已最終敲定了在匈牙利建造第三座電池工廠的投資計劃。三星 SDI 正在擴建現有的匈牙利第二工廠，預計將在 9 月竣工。 消息人士稱，該公司預計今年將在整體設施擴建上花費超過 6 萬億韓元（當前約 324 億元人民幣），其中超過 1 萬億韓元（當前約 54 億元人民幣）將用于建設第三工廠。據稱，三星 SDI 還將從菲律賓招募工人到匈牙利工作。 發表于：3/4/2024 多通道優先級放大器的設計與應用 圖1所示的模擬優先級放大器最初是作為多輸出電源的一部分進行設計，其中穩壓操作基于最高優先級通道的電壓。該放大器的另一個應用是帶電子節氣門控制的引擎控制系統，其中引擎需要對多個輸入命令中優先級最高的一個作出響應。 發表于：3/1/2024 貿澤聯手Würth Elektronik推出全新電子書 2024年2月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 （Mouser Electronics） 與Würth Elektronik聯手推出全新電子書，匯聚了八位專家針對物聯網 （IoT） 技術與設備相關應用的討論。 發表于：2/29/2024 全球首款“彈性”rSIM助力物聯網設備“永遠在線” 助力物聯網設備“永遠在線”——全球首款“彈性”rSIM如何實現？ 全球首款可自動切換網絡的“彈性”rSIM問世！再也不怕物聯網設備掉線！ 發表于：2/29/2024 消息稱三星背面供電芯片測試結果良好 據韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網絡（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預期的成果，有望提前導入未來制程節點。 傳統芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統供電模式的線路層越來越混亂，對設計與制造形成干擾。 BSPDN 技術將芯片供電網絡轉移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化。 發表于：2/29/2024 美光推出緊湊封裝型UFS 4.0 美光宣布開始送樣增強版通用閃存（UFS） 4.0 移動解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業界領先的緊湊型 UFS 封裝 ( 9 x 13mm ) 。 新款內存基于先進的 232 層 3D NAND 技術， 美光 UFS 4.0 解決方案可實現高達 1TB 容量，其卓越性能和端到端技術創新將助力旗艦智能手機實現更快的響應速度和更靈敏的使用體驗。 發表于：2/29/2024 淺談因電遷移引發的半導體失效 淺談因電遷移引發的半導體失效 發表于：2/28/2024 ?…186187188189190191192193194195…?
