微波射頻相關文章 恩智浦擴展高速接口ESD保護產品組合 全球領先的ESD（靜電放電）保護器件供應商恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今日宣布擴展其電路保護器件范圍；這些產品同時具備超低電容和超低鉗位電壓特性。恩智浦ESD保護產品組合具有出色的ESD耐用保護，超過系統級的IEC61000-4-2第4級標準，包含15款器件，是保護HDMI、MHL、MIPI、DisplayPort、eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信號線的理想之選。 發表于：9/18/2012 意法半導體（ST）發布先進功率MOSFET系列產品, 抓住新興生態設計標準和綠色能源市場機會 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術型企業滿足日益嚴格的生態設計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。 發表于：9/13/2012 Microsemi擴展NPT IGBT產品系列 致力于能源、安全、可靠性與高性能領域，全球領先的半導體供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新產品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產品系列的所有器件均基于美高森美的先進Power MOS 8? 技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。 發表于：9/12/2012 意法半導體(ST)最新的冷卻旁路二極管可增加太陽能發電效率并降低成本 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），推出了用于太陽能模塊的新一代高能效的冷卻旁路開關（Cool Bypass Switch）系列。新產品可進一步提高太陽能發電效率并降低再生能源發電的每瓦成本。業內最小的尺寸使其可直接集成到太陽能模塊內，從而降低太陽能發電系統的復雜性和安裝成本。 發表于：9/11/2012 德州儀器面向有線通信系統推出靈活的時鐘集成電路 日前，德州儀器(TI) 宣布推出業界最靈活的高集成時鐘抖動清除器(cleaner) / 乘法器(multiplier)，可充分滿足有線通信與測量測試應用需求。該LMK04906 提供3 組支持保留特性(holdover feature)的冗余輸入以及7 組可編程輸出。這種靈活性可使設計人員不必使用振蕩器和時鐘緩沖器等外部組件，從而顯著降低材料清單(BOM) 成本并節省板級空間。此外，LMK040906 具有業界領先的100 fs RMS 抖動及-160 dBc/Hz 噪聲底限，可改善高速數據通信系統的信號完整性。 發表于：9/6/2012 Brad® Micro-Change® M12 Cat 6A連接器系統 提供高達10Gbps的出色信號完整性 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司推出功能強大的Brad Micro-Change® M12 Cat6A連接器系統，設計用于嚴苛環境中的視覺系統和其它高速數據傳輸應用。高針腳密度(high-pin-density) 的Micro-Change連接器系統，符合用于高達10Gbps的高速以太網信號完整性的TIA和ISO/IEC Cat 6A規范，并具有創新的x-coding交叉屏蔽(cross-shielding)設計(符合IEC 61076-2-109規范)，在高達500Mhz的頻帶寬度內提供出色的性能和傳輸可靠性。 發表于：9/4/2012 IR全新600V IGBT提供更高功率密度和效率 適合電機驅動應用 全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，適合在10kHz以下工作的電機驅動應用，包括冰箱和空調的壓縮機。 發表于：9/4/2012 圣邦推出支持鋰電池過壓檢測功能的過壓保護器件SGM4062 圣邦微電子（SG MICRO）于2012年推出過壓保護芯片SGM4062。該產品具有鋰電池過壓檢測功能、啟動過流保護功能。SGM4062過壓保護電壓典型值為6.8V。當輸入電壓高于6.8V時，過壓保護功能（OVP）啟動，自動斷開電路以保護系統安全。 發表于：9/3/2012 Molex新型Micro-Lock? Positive-Lock連接器 具有‘免損毀’插配保護特性 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司推出新的通孔(through-hole)Micro-Lock?單排連接器產品線，用于數據/通信、電信、網絡設備和消費電子產品，包括游戲機和LCD及PDP平板顯示器的線對板應用。Micro-Lock確立鎖閂(positive-lock)2.00 mm間距連接器具有6.00 mm的低插配側高和‘免損毀’設計特性，防止在連接器插配期間損壞連接頭針腳。 發表于：8/16/2012 Microchip推出首款5V工作、1 Mb容量和80 Mbps速度的 業內容量最大、速度最快器件，擴展串行SRAM產品組合 全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出四款業內容量最大、速度最快的新器件，擴展了其串行SRAM產品組合。這些器件還是業內首批5V工作的產品，廣泛適用于汽車和工業應用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應。通過四路SPI或SQI?協議可實現高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數據緩沖、數據記錄、顯示、數學、音頻、視頻及其他數據密集型功能提供所需的近乎瞬時數據傳送及零寫入時間。 發表于：8/7/2012 瑞薩電子第七代650V和1250V IGBT建立了一個新的技術標準，可以在工業應用中實現高效的解決方案，如太陽能及工業電機逆變器 瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，今天宣布為其第七代具有業界領先性能的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）陣列增加13款新產品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導體器件，用于將DC轉換成AC電源的系統中，設計用于對應高電壓和大電流的應用，如太陽能發電機和工業電機用功率調節器(功率轉換器)。第七代技術，采用增強型薄化晶圓工藝，在傳導、開關損耗以及耐受能力之間達到了低損耗平衡，以承受短路情況的發生。 發表于：7/25/2012 英飛凌面向低電壓應用的最新防靜電二極管，提升消費電子產品的可靠性 英飛凌科技發布了一系列可用于改善靜電防護性能的TVS（瞬態電壓抑制）二極管。靜電放電（ESD）可能對敏感的消費電子系統造成損害。全新±3.3V雙向二極管系列擁有行業領先的箝位電壓和靜電吸收率，可以防止電尖峰脈沖對系統的音頻輸入端口或觸屏接口電路等部位造成沖擊。 發表于：7/16/2012 愛特梅爾帶有唯一標識符的新型串行EEPROM產品系列 簡化設計并降低聯網產品成本 微控制器及觸摸技術解決方案的領導廠商愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布推出兩個新的串行EEPROM產品系列。AT24MAC系列器件具有預編程媒體存取控制(Media Access Control，MAC)/擴展唯一標識符(Extended Unique Identifier，EUI)的節點身份地址，緩減客戶對自行對MAC/EUI地址進行編程和維護相關的復雜數據的需求，使得所有類型聯網產品的開發更簡單、更快速、和更廉宜。AT24CS系列器件包括工廠編程唯一只讀序列號，可以幫助客戶簡化批量生產線的存貨控制并增強產品的可追溯性。 發表于：7/13/2012 瑞薩電子推出具有長外部爬電距離（14.5 mm）、符合安全標準要求、需要690 V（或更高）高絕緣電壓的光電耦合器 高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今天宣布推出用于逆變器的長爬電距離光電耦合器PS9905，其適用于采用690 V最高商業電源電壓的工業設備或者采用1,000 V高壓的太陽能發電系統之類的應用。新款PS9905器件是一款外部爬電距離（注釋2）為14.5 mm的光電耦合器（化合物半導體，注釋1），其超過安全標準（IEC 61800）指定的防止電擊等事故發生所需的爬電距離- 13.8 mm。 發表于：7/10/2012 瑞薩電子推出新款超級結MOSFET，具有業界領先的低導通電阻，低柵極電荷并采用快速體二極管，以提高反向恢復的性能 瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，今天宣布推出三款新型超級結金屬氧化物場效應三極管（超級結MOSFET）（注1），具有如下的特點：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅動、DC-DC轉換器和DC-AC逆變器應用。這一行業領先的低導通電阻和低柵極電壓的組合平臺，同時結合了快速體二極管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助于提高家用電器電機驅動的效率，如空調等采用帶逆變控制的高速電機的家電。 發表于：7/10/2012 ?…86878889909192939495…?
