微波射頻相關文章 連接器第二講：連接器的基本技術性能 連接器是電子設備中不可缺少的部件，它在電路內被阻斷處或孤立不通的電路之間，架起溝通的橋梁，從而使電流流通，使電路實現預定的功能。連接器形式和結構是千變萬化的，隨著應用對象、頻率、功率、應用環境等不同，有各種不同形式的連接器。盡管連接器種類眾多，但基本性能可分歸納為三大類：即機械性能、電氣性能和環境性能。 發表于：1/21/2010 LSI 推出新型 MegaRAID 控制卡和主機總線適配器，進一步擴展6Gb/s SAS 產品系列 LSI 公司 (NYSE: LSI) 日前宣布推出新型 MegaRAID® 控制卡和主機總線適配器 (HBA)，進一步壯大了業界最豐富的 6Gb/s SATA+SAS 存儲適配器產品陣營。最新推出的產品包括：業界首款MegaRAID 入門級 6Gb/s 控制卡、MegaRAID 經濟型和功能型系列擴展產品，以及采用多端口配置的新型 HBA。 發表于：1/21/2010 詳細講解MOSFET管驅動電路 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。 本文對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。 發表于：1/16/2010 MOSFET及MOSFET驅動電路總結 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。本文對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。 發表于：1/16/2010 關于旁路電容的深度研討(三) 旁路電容是關注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可靠和無差錯的設計是關鍵。 來自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz參加了關于該主題的進一步對話。本文是對話的第三部分。Dave和Tamara信仰辯論的價值、教育的價值以及謙虛地深入討論核心問題的價值；簡而言之，為了獲取知識而展開對一個問題的討論。 發表于：1/14/2010 關于旁路電容的深度研討(二) 旁路電容是關注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可靠和無差錯的設計是關鍵。 通過一次關于基本知識的對話，讓我們深入考察那沒有什么魅力但是極其關鍵的旁路電容和去耦電容。 發表于：1/14/2010 關于旁路電容的深度研討(一) 旁路電容是關注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可靠和無差錯的設計是關鍵。來自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz參加了關于該主題的進一步對話。本文是對話的第一部分。Dave和Tamara信仰辯論的價值、教育的價值以及謙虛地深入討論核心問題的價值；簡而言之，為了獲取知識而展開對一個問題的討論。下面請“聆聽”并學習。 發表于：1/14/2010 電阻市場發展前景向好 2010年需求強勁 電阻器是各類電子設備不可或缺的元器件，在全球經濟危機的背景下，電阻器廠家面對生產成本上升與產品價格下降的雙重壓力，激烈的市場競爭也在不斷壓縮廠家的利潤空間。盡管挑戰嚴峻，但隨著全球消費類電子產品的不斷增加，如DVD播放器、數碼相機、MP3播放器以及手機、電腦和外圍設備、數字A/V設備和汽車電子產品等強大的銷量和需求維持著中國電阻市場的發展。 發表于：1/14/2010 Vishay最新推出的超小型雙向對稱單線ESD保護二極管具有極低容值 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態電壓信號的損害。 發表于：1/12/2010 Vishay最新推出的超小型雙向對稱單線ESD保護二極管具有極低容值 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態電壓信號的損害。 發表于：1/8/2010 功率電感對電源的改善 將集中控制電源的PMIC(Power Management IC)的開關頻率，將從一直使用的1MHz變為3MHz,還有管理單獨電源的DC-DC轉換器IC中主流頻率一直是3～4MHz，對于此種情況，作為主要元件的功率電感就需要1.0uH到2.2uH的低感值產品。而開關頻率數的提高使靜噪成為必須，為了解決這些課題，推動了功率電感的開發。 發表于：1/7/2010 Vishay新一代超高精度Bulk Metal®箔電阻設定新的行業標準，并開啟電阻全新應用領域 器件具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，穩定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns；H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有±0.2ppm/℃ 發表于：1/6/2010 MOSFET柵漏電流噪聲模型研究 基于MOSFET柵氧擊穿效應和隧穿效應，總結了柵漏電 流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對各種模型的特性和局限性進行了分析。 發表于：1/6/2010 光電式電流互感器原理及應用 光電式電流互感器原理及應用。 發表于：1/6/2010 Vishay Siliconix最新推出的12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了業內最低的導通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業內P溝道器件最低的導通電阻。 發表于：1/5/2010 ?…168169170171172173174175176177?
