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微波射頻相關(guān)文章

Diodes雙極型三極管采用新型PowerDI5封裝大幅節(jié)省占板空間

Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用Diodes的第五代矩陣射極工藝，率先面世的12款NPN及PNP晶體管有助于設(shè)計(jì)人員大幅提高功率密度并縮減解決方案的尺寸。

發(fā)表于：3/23/2010

Vishay推出保護(hù)USB-OTG端口的新款ESD保護(hù)陣列

采用緊湊的LLP1713-9M無鉛封裝、在12V工作電壓范圍內(nèi)，器件可提供VBUS保護(hù)、具有低至0.7pF的典型容值和低至0.085μA的最大漏電流

發(fā)表于：3/23/2010

Dialog半導(dǎo)體

Dialog半導(dǎo)體開發(fā)各種高能效的、高度集成的混合信號(hào)電路產(chǎn)品，它們針對(duì)個(gè)人移動(dòng)、照明、顯示和汽車等多種應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。該公司提供靈活而積極的支持和世界級(jí)的創(chuàng)新，以及一家成熟的商業(yè)伙伴在合作時(shí)所提供的各種保障。

發(fā)表于：3/22/2010

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

國(guó)際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online（RS在線：http://www.rs-components.com）渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。

發(fā)表于：3/11/2010

飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對(duì)DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列，可應(yīng)對(duì)工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對(duì)更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：3/2/2010

瑞薩科技推出包括BCR16CM-16LH在內(nèi)的8款800V三端雙向可控硅開關(guān)產(chǎn)品，其具有業(yè)內(nèi)最佳的高換向性特點(diǎn)和150°C的結(jié)溫

2010年2月25日，株式會(huì)社瑞薩科技（以下簡(jiǎn)稱瑞薩）宣布推出包括BCR16CM-16LH在內(nèi)的新型800V三端雙向可控硅產(chǎn)品，其所具有的業(yè)內(nèi)最佳高換向性*特點(diǎn)和150°C結(jié)溫（Tj），使其成為洗衣機(jī)和真空吸塵器等家電內(nèi)AC電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想之選。該產(chǎn)品樣品將于2010年4月起在日本發(fā)售。

發(fā)表于：2/25/2010

RS添加4100余種泰科電子新產(chǎn)品

國(guó)際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，增加泰科電子（Tyco Electronics）4100余種新產(chǎn)品。RS目前擁有種類齊全的泰科電子多媒體技術(shù)產(chǎn)品，共計(jì)超過18000種，全部產(chǎn)品均有庫(kù)存，根據(jù)客戶需求量彈性訂購(gòu)，以行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝形式為設(shè)計(jì)、原型開發(fā)和小批量生產(chǎn)提供服務(wù)。

發(fā)表于：2/25/2010

Diodes推出能夠容忍電話線瞬變的高壓二極管陣列

Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負(fù)極電話線接口和一般離線整流應(yīng)用中最壞的線瞬變情況。

發(fā)表于：2/25/2010

4% 準(zhǔn)確度的可編程平均輸入電流限制降壓-升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出效率為 96% 的同步降壓-升壓型轉(zhuǎn)換器 LTC3127，該器件用高于、低于或等于輸出的輸入向穩(wěn)定輸出電壓提供高達(dá) 1A 的輸出電流。LTC3127 具有一個(gè)準(zhǔn)確度達(dá) ±4% 的可編程平均輸入電流限值 (范圍為 200mA 至 1000mA)，從而使其非常適合于從 GSM 調(diào)制解調(diào)器或超級(jí)電容器充電器 (具有嚴(yán)格輸出電流限值的電源來供電)。這使系統(tǒng)設(shè)計(jì)師能夠最大限度地提高從受限電源吸取的電流，從而顯著改善數(shù)據(jù)速率或充電時(shí)間。LTC3127 的 1.8V 至 5.5V 輸入范圍和 1.8V 至 5.25V 的輸出范圍與所有類型的 PC 卡槽、USB 和單節(jié)鋰離子或雙節(jié)/三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫金屬電池應(yīng)用兼容。LTC3127 的電流模式降壓-升壓型拓?fù)渫ㄟ^所有工作模式提供連續(xù)傳輸模式，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并確保卓越的性能。LTC3127 的恒定 1.35MHz 開關(guān)頻率提供低噪聲工作，同時(shí)最大限度地減小所需為數(shù)不多的幾個(gè)外部組件的尺寸。纖巧外部組件結(jié)合 3mm x 3mm DFN 或 MSOP-12 封裝為空間受限應(yīng)用提供高度緊湊的占板面積

發(fā)表于：2/24/2010

Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®規(guī)定的新款器件

采用緊湊的PowerPAK® MLP 6x6封裝；集成高邊、低邊功率MOSFET、驅(qū)動(dòng)IC和陰極輸出二極管；具有27V的輸入電壓、超過1MHz的工作頻率和92%的高效率

發(fā)表于：2/23/2010

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出高壓MOSFET系列

應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求，在這些應(yīng)用中，加快導(dǎo)通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器，及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。

發(fā)表于：2/22/2010

Vishay發(fā)布六款新型80V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器

器件采用功率TO-220AB、ITO-220AB,TO-262AA和TO-263AB封裝、具有10A～30A的電流額定范圍,典型VF低至0.57V

發(fā)表于：2/8/2010

安森美半導(dǎo)體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強(qiáng)固負(fù)載性能的方案

應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN) 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測(cè)試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：2/3/2010

Vishay的新款TF3系列低ESR固鉭貼片電容器適用于以安全為首要考慮的應(yīng)用中

器件在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25Ω;容值范圍為0.47μF~470μF;電壓范圍為4V~50V；工作溫度范圍為-55℃~+125℃

發(fā)表于：1/29/2010

用電容實(shí)現(xiàn)LVDS連接交流耦合的設(shè)計(jì)分析

　使用電容實(shí)現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)連接的交流耦合有很多益處，比如電平轉(zhuǎn)換、去除共模誤差以及避免輸入電壓故障的發(fā)生。本文不僅介紹了電容的適當(dāng)選型，也為和終端拓?fù)涮峁┲笇?dǎo)，同時(shí)也討論了共模故障分析的問題。

發(fā)表于：1/28/2010

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