微波射頻相關(guān)文章 關(guān)于旁路電容的深度研討(一) 旁路電容是關(guān)注度低、沒有什么魅力的元器件，一般來說，在許多專題特寫中不把它作為主題，但是，它對于成功、可靠和無差錯的設(shè)計是關(guān)鍵。來自Intersil公司的作者David Ritter和Tamara Schmitz參加了關(guān)于該主題的進一步對話。本文是對話的第一部分。Dave和Tamara信仰辯論的價值、教育的價值以及謙虛地深入討論核心問題的價值；簡而言之，為了獲取知識而展開對一個問題的討論。下面請“聆聽”并學(xué)習(xí)。 發(fā)表于：1/14/2010 電阻市場發(fā)展前景向好 2010年需求強勁 電阻器是各類電子設(shè)備不可或缺的元器件，在全球經(jīng)濟危機的背景下，電阻器廠家面對生產(chǎn)成本上升與產(chǎn)品價格下降的雙重壓力，激烈的市場競爭也在不斷壓縮廠家的利潤空間。盡管挑戰(zhàn)嚴峻，但隨著全球消費類電子產(chǎn)品的不斷增加，如DVD播放器、數(shù)碼相機、MP3播放器以及手機、電腦和外圍設(shè)備、數(shù)字A/V設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品等強大的銷量和需求維持著中國電阻市場的發(fā)展。 發(fā)表于：1/14/2010 Vishay最新推出的超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護二極管具有極低容值 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設(shè)備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。 發(fā)表于：1/12/2010 Vishay最新推出的超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護二極管具有極低容值 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用LLP006封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設(shè)備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。 發(fā)表于：1/8/2010 功率電感對電源的改善 將集中控制電源的PMIC(Power Management IC)的開關(guān)頻率，將從一直使用的1MHz變?yōu)?MHz,還有管理單獨電源的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC中主流頻率一直是3～4MHz，對于此種情況，作為主要元件的功率電感就需要1.0uH到2.2uH的低感值產(chǎn)品。而開關(guān)頻率數(shù)的提高使靜噪成為必須，為了解決這些課題，推動了功率電感的開發(fā)。 發(fā)表于：1/7/2010 Vishay新一代超高精度Bulk Metal®箔電阻設(shè)定新的行業(yè)標準，并開啟電阻全新應(yīng)用領(lǐng)域 器件具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，穩(wěn)定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns；H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有±0.2ppm/℃ 發(fā)表于：1/6/2010 MOSFET柵漏電流噪聲模型研究 基于MOSFET柵氧擊穿效應(yīng)和隧穿效應(yīng)，總結(jié)了柵漏電 流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對各種模型的特性和局限性進行了分析。 發(fā)表于：1/6/2010 光電式電流互感器原理及應(yīng)用 光電式電流互感器原理及應(yīng)用。 發(fā)表于：1/6/2010 Vishay Siliconix最新推出的12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：1/5/2010 第十屆高交會電子展現(xiàn)場采訪TDK中國本部董事中尾禮次 在第十屆高交會電子展的TDK展示區(qū)，《電子技術(shù)應(yīng)用》記者采訪了TDK中國本部董事、副總經(jīng)理中尾禮次。中尾禮次先生就展會效果、TDK目前發(fā)展狀況，主要展示產(chǎn)品回答了記者的提問。 發(fā)表于：10/15/2008 SiRF遭遇侵權(quán)官司，采用其GPS芯片的產(chǎn)品不能出口美國了？ SiRF遭遇侵權(quán)官司，采用其GPS芯片的產(chǎn)品不能出口美國了？ 發(fā)表于：9/2/2008 德州儀器高度集成2.4GHz RF前端將低功耗無線系統(tǒng)覆蓋范 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向低功耗與低電壓無線應(yīng)用推出業(yè)界集成度最高的 2.4GHz 射頻 (RF) 前端 CC2591。該產(chǎn)品集成了可將輸出功率提高 ＋22 dBm 的功率放大器以及可將接收機靈敏度提高 ＋6 dB 的低噪聲放大器，從而能夠顯著增加無線系統(tǒng)的覆蓋范圍。 發(fā)表于：8/5/2008 SiGe技術(shù)提高無線前端性能 這篇應(yīng)用筆記描述了硅鍺技術(shù)是如何提高RF應(yīng)用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響。SiGe技術(shù)顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe技術(shù)在線性度方面的影響還在研究中。 發(fā)表于：5/19/2006 430MHz/144MHz廉價同軸高增益天線 UV波段由于通信話音質(zhì)量好、干擾小，器材易得，是廣大HAM常用的理想近距離通信波段。但由于頻率較高，傳播特性為視距傳播，通信距離較近。如何提高它的通信效果，是每個HAM所不斷追求的。 發(fā)表于：4/27/2006 無線電臺站類別表 無線電臺站類別表 發(fā)表于：4/16/2006 ?…167168169170171172173174175176?
