微波射頻相關文章 電動車用霍爾位置傳感器芯片的使用 電動自行車用的直流無刷電機的轉子是由30到40塊釹鐵硼磁鋼構成。由于釹鐵硼磁鋼的表面磁場強度超過500mT，電動自行車用的直流無刷電機里的位置傳感器特別適合采用硅霍耳傳感器。硅霍耳傳感器的制造工藝可以與集成電路芯片工藝流程完全兼容，這樣，硅霍耳傳感器后續的信號處理電路，包括前置放大器，施密特觸發器和集電極開路輸出級可以方便地集成在同一個硅片上，形成霍耳集成電路芯片。 發表于：8/3/2010 分析師認為閃存熱 但是供應鏈不配套 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。 發表于：8/2/2010 LSI 推出全新高端口數存儲適配器，進一步擴展6Gb/s SAS 系列 全新 MegaRAID、3ware 以及 HBA 產品使單個卡能夠直接連接服務器內多達 24 個驅動器，或外部連接多達 512 個器件，從而實現簡單高效的存儲擴展 發表于：8/2/2010 美光推出新型內存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網本 2010年7月29日，北京訊 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內存，支持英特爾即將對平板電腦和上網本推出基于Intel® 凌動? 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內存將成為該市場的理想存儲解決方案。 發表于：7/30/2010 先進制程轉換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求 Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產、裁員、關閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產業擴廠競賽劃下句點。 發表于：7/30/2010 Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標準的新款器件 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出滿足嚴格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導的新款器件，擴充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。 發表于：7/30/2010 Vishay Siliconix推出業界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級功率MOSFET 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET —— Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產品中占用的空間。 發表于：7/29/2010 Vishay推出業內最耐熱的薄膜貼片電阻 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為其用于極高溫度環境的無源器件產品組合中增添新系列SMD卷包式薄膜貼片電阻 --- Sfernice PHT，這些電阻針對用在鉆井勘探和航天應用的多芯片模塊進行了優化。 發表于：7/27/2010 Spansion、爾必達（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯盟 2010年7月26日，中國上?！獱柋剡_（Elpida）存儲器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布將擴展在NAND工藝技術和產品基礎上更深入的NAND閃存合作聯盟。此外，爾必達公司也獲得基于MirrorBit®電荷捕獲技術的Spansion® NAND IP非專屬性授權。爾必達公司將在其位于廣島的尖端300mm晶圓生產廠生產全新NAND產品。雙方將分開經營產品銷售。 發表于：7/27/2010 基于無線傳感器網絡的遠程智能抄表系統設計 智能遠程抄表系統節省時間、人力、物力、提高工作效率，降低物業成本，準確及時地將住戶所使用的電表數據顯示出來，為實現小區科學、系統的物業管理提供了有效的解決方法。智能遠程抄表系統的核心是提供了一個控制信號采集和數據傳輸的平臺，可遠程對電表進行參數設置、實時監控和故障判斷。該系統可用于對水表、氣表等其他儀表的遠程監控。 發表于：7/26/2010 全球MEMS技術應用及其市場發展狀況 MEMS有廣泛的應用，但其封裝測試成本是決定其能否有光明市場前景的重要因素 發表于：7/26/2010 市場低迷大廠獲益 誰是下一個奇夢達 近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業務支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預計這些支出中將有相當一部分進入DRAM業務。 發表于：7/23/2010 汽車制造行業對電感式傳感器的優化選擇 汽車生產工藝上來看，近年來，國內汽車制造業的自動化水平大幅提升，明顯趨勢于提高裝配精度、提高生產效率。作為定位及檢測手段，多種傳感器已經普及到生產線各個環節中，尤其是車廠廣泛用于定位的電感式傳感器，實時監控著整條線的運行狀態。但面對于市場上不同廠家、多系列的傳感器，如何選擇最適合汽車制造領域應用的產品，成為關鍵。 發表于：7/23/2010 惠瑞捷全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案為 DDR3、DDR4和更高級的內存提供了低廉的測試成本 【2010年7月23日，北京訊】惠瑞捷 (Verigy)（納斯達克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案，進一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲器 IC 和更高級存儲器件測試能力的 V93000 HSM 平臺。V93000 HSM3G 獨特的優勢在于其未來的可升級性，能夠為數據傳輸速度高達6.8 Gbps未來的三代 DDR 存儲器提供價格低廉的測試服務，從而前所未有地長期節約經濟成本。 發表于：7/23/2010 惠瑞捷在韓國客戶的生產廠安裝首款具有每接腳8 Gbps高速存儲卡V93000測試機 2010年7月23日，北京訊 首屈一指的半導體測試公司惠瑞捷 (Verigy) (納斯達克交易代碼：VRGY) 在韓國一家不具名客戶的生產廠內安裝并驗證其首款可生產的V93000 HSM6800系統。這套新系統是唯一的一款面向當今 GDDR5超快存儲集成電路 (IC)（運行速度超過每接腳4 Gbps）的快速高良率測試解決方案。與當今市場上的其它超高速存儲器測試系統相比，它具有明顯的產能優勢。 發表于：7/23/2010 ?…160161162163164165166167168169…?
