微波射頻相關文章 基于EPG3231和閃存的聲音播放器設計方案 提出一種在單片機系統中比較簡單地使用大容量NAND FLASH存儲器的方法。與一般方法相比，編寫應用程序的程序員不需要掌握計算機文件系統的規范，只要按照NAND FLASH的讀、寫、擦除等時序對其進行操作，把NANDFLASH當成NOR FLASH或SRAM來對待，這樣存儲器的物理地址對程序員而言是透明的，只需要在遇到壞塊(BAD BLOCK)時跳過該塊就可以了。該方法降低了使用NAND FLASH存儲器的難度和成本，且不僅適用于EPG3231，也可以推廣到一般的8位單片機系統中使用。 發表于：9/26/2010 片外FIash存儲器IAP的n種方案 針對嵌入式應用系統片外Flash存儲器IAP無現成方案的問題，介紹一種基于代碼重入思想的片外存儲器IAP解決方案。結合LPC2210及SST39VFl60芯片，簡介兩款芯片特點，給出應用連接框圖；分析IAP實現要點，并給出IAP的實現代碼。 發表于：9/25/2010 Vishay推出業界首款采用緊湊0805封裝的0.5W檢流電阻 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 9 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP0805。該器件是業界首款采用緊湊的0805封裝的0.5W檢流電阻，具有10mΩ～50mΩ的超低阻值范圍，高溫性能高達+170℃。 發表于：9/25/2010 人體接近傳感器在ATM監控中的運用 人體接近傳感器又稱無觸點接近傳感器，是理想的電子開關量傳感器。它廣泛地應用于機床、冶金、化工、輕紡和印刷等行業。在自動控制系統中可作為限位、計數、定位控制和自動保護環節。接近傳感器具有使用壽命長、工作可靠、重復定位精度高、無機械磨損、無火花、無噪音、抗振能力強等特點。 發表于：9/25/2010 Vishay發布業界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 9 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器 --- 146 CTI，低阻抗和高紋波電流能夠實現更好的濾波和更高的可靠性。該器件同時滿足嚴格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接標準的苛刻回流焊條件，使加工更加靈活。 發表于：9/21/2010 物聯網傳感器芯片3年后30%國產化 近日，中國傳感產業研究中心主任張小飛在2010第五屆粵港射頻識別(RFID)技術應用高峰論壇上表示，作為構成物聯網的基礎單元，目前國內傳感器芯片90%靠進口。未來幾年主要靠進口的局面尚不能扭轉，但3年后國產芯片占有率可達30%。 發表于：9/20/2010 DRAM恐續跌20%，DRAM廠Q4營運爆發落空 根據DRAMeXchange調查，9月上旬合約價持續下跌，DDR3 2GB模塊合約均價從40美元下跌至36美元，跌幅達10%，為一年來單次最大跌幅，DDR2模塊合約價亦受到DDR3影響，下跌約2.8%，來到35美元價位。 發表于：9/17/2010 瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產品 高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱瑞薩電子）已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導體晶體管）產品——RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產品作為面向DC/DC轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。 發表于：9/17/2010 高精度低成本車用超聲波傳感器的研制 本文介紹了利用超聲波傳感器實現無接觸式測距。系統由AT89C2051 單片機、超聲波電路、環境溫度電路及顯示電路組成。該測距儀具有高精度（±1mm）、低成本的特點。 發表于：9/16/2010 飛思卡爾Xtrinsic加速計延長消費電子器件的電池使用壽命 2010年9月14日，東京（飛思卡爾技術論壇）訊－據iSuppli公司報道，由于動作手機、游戲控制器和數碼相機銷售出現強勁勢頭，預計2010年全球MEMS市場將會增長11%。大部分此類設備將動作感應技術用于以下功能，如圖像穩定、拍打控制、防盜和方向檢測。 隨著市場對下一代應用（如直觀的用戶界面和基于位置的服務）的需求在不斷增長，在精度和電池使用壽命方面占據優勢顯得至關重要。 發表于：9/16/2010 IR 新型-30V P 溝道功率 MOSFET 使設計更簡單靈活 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開關應用非常理想的解決方案。 發表于：9/15/2010 連接器市場迎來上升期 由于消費電子、汽車電子、物聯網市場的快速增長以及全球連接器生產能力不斷向亞洲及中國轉移，亞洲已成為連接器市場最有發展潛力的地方，而中國預計成為全球連接器增長最快和容量最大的市場。 發表于：9/14/2010 國內傳感器產業增長31%卻緣何陷入死循環 據中國電子信息產業發展研究院微電子研究所預測，今年中國傳感器市場銷量將達到905億元。未來五年，國內傳感器市場平均銷售增長率將達31%。 發表于：9/9/2010 NAND Flash跌價深 上游大廠對模塊廠讓步 NAND Flash價格經歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節節攀高的情況下，態度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產業的唯一大補丸。 發表于：9/8/2010 意法半導體（ST）引領MEMS產業發展趨勢，出貨量瞄準十億大關 全球最大的消費電子與便攜設備MEMS（微機電系統）供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，事業部副總裁兼MEMS、傳感器和高性能模擬產品部總經理Benedetto Vigna將于2010年臺灣SEMICON 國際半導體展MEMS創新技術趨勢論壇發表開幕演講，以移動市場為主軸，探討傳感器集成技術所面臨的挑戰及未來智能傳感器系統解決方案的發展趨勢。 發表于：9/8/2010 ?…156157158159160161162163164165…?
