賓夕法尼亞、MALVERN— 2010 年7 月29 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm²的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT^®Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。

    隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度，比同樣采用芯片級(jí)封裝的尺寸第二小的N溝道器件小36%，薄11%，能夠?qū)崿F(xiàn)更加小巧且功能更多的終端產(chǎn)品。

    由于采用無(wú)封裝技術(shù)且增大了管芯面積，Si8800EDB的芯片級(jí)封裝提供了單位面積上極低的導(dǎo)通電阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大導(dǎo)通電阻分別為80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。

    新器件的典型應(yīng)用包括負(fù)載開(kāi)關(guān)和手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器和智能手機(jī)等便攜式設(shè)備中的小信號(hào)切換。Si8800EDB的低導(dǎo)通電阻可延長(zhǎng)這些產(chǎn)品中兩次充電之間的電池壽命。

    Si8800EDB的典型ESD保護(hù)為1500V，符合RoHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21定義的無(wú)鹵素規(guī)范。

    新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2010年第二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

VISHAY簡(jiǎn)介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選IC）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。(這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類(lèi)型的電子設(shè)備)。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。