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美光科技推出第三代低延時內(nèi)存

2010年7月14日，北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術(shù)，能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容、移動應(yīng)用和云計算的蓬勃發(fā)展，對網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比，美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進(jìn)一步提高了存儲密度和速度，同時最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中性能更好。

發(fā)表于：7/14/2010

傳感器：物聯(lián)網(wǎng)成引擎新技術(shù)催生新機(jī)遇

作為政府從戰(zhàn)略層面進(jìn)行推進(jìn)的產(chǎn)業(yè)，物聯(lián)網(wǎng)如何從愿景走向現(xiàn)實(shí)應(yīng)用并得到快速發(fā)展已成為業(yè)界關(guān)注的話題。正所謂“萬丈高樓平地起”，作為構(gòu)成物聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)單元，傳感器在物聯(lián)網(wǎng)信息采集層面能否如愿以償完成它的“使命”，成為物聯(lián)網(wǎng)成敗的關(guān)鍵。并且未來MEMS、MOEMS(微光機(jī)電系統(tǒng))將成為物聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)核心，使無線傳感網(wǎng)、光網(wǎng)快速加入物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用系統(tǒng)，為其提供更明確的應(yīng)用方向和更豐富的市場機(jī)會，物聯(lián)網(wǎng)也將成為傳感器市場的新引擎。

發(fā)表于：7/13/2010

全面解析今年一季全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能

國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計機(jī)構(gòu)SICAS近期的統(tǒng)計數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片計。總的半導(dǎo)體SC數(shù)據(jù)，包括雙極數(shù)據(jù)由5英寸轉(zhuǎn)換成8英寸利用轉(zhuǎn)換率0.391及分立器件由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸，利用轉(zhuǎn)換率0.563。

發(fā)表于：7/13/2010

2010中國電子制造商采購行為調(diào)查

中國電子展兩年前首次在展覽期間推出“中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商評選活動”，這一評選活動一經(jīng)推出，就受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注，參與和反響都很不錯。今年將于11月3-5日在上海新國際博覽中心召開的第76屆中國電子展仍然會將這一評選活動作為一場重量級的業(yè)內(nèi)互動交流平臺推廣。

發(fā)表于：7/12/2010

中國(成都)電子展　數(shù)以萬計專業(yè)觀眾追捧為哪般？

中國電子展自07年首次移師西部以來贏得了數(shù)以萬計買家的大力支持。去年召開的成都展接待觀眾13109人次，近500家展商參與展示活動，包括了IBM、英特爾、安捷倫、泰克科技、力科、福祿克、德國羅森伯格、羅德與施瓦茨、ESPEC等行業(yè)巨頭，以及元器件和半導(dǎo)體的國際領(lǐng)軍廠商泰科電子、威世國際、村田制作所、安富利、太陽誘電、飛兆半導(dǎo)體、德州儀器、ALTERA、Actel、Xilinx、微芯科技、ADI等。還有很多優(yōu)秀的國內(nèi)企業(yè)：中科泛華、泉州火炬、常州堅(jiān)力、常州銀河、常州同惠、寧波晨翔等。

發(fā)表于：7/12/2010

基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究與設(shè)計

隨著數(shù)據(jù)存儲量的日益加大以及存儲速度的加快，大容量的高速存儲變得越來越重要。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲又能滿足讀寫速度快的要求，這樣使得對內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原理，內(nèi)存條電路設(shè)計的注意事項(xiàng)，以及如何使用FPGA實(shí)現(xiàn)對DDR內(nèi)存條的控制，最后給出控制的仿真波形。

發(fā)表于：7/12/2010

Vishay Siliconix推出新款ThunderFET?功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動下，該器件的典型導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數(shù)值是DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM，單位是nC-mΩ)。

發(fā)表于：7/9/2010

Avnet Express推出面向亞洲的電子商務(wù)網(wǎng)站

中國北京– 2010年7月8日 - 安富利公司(NYSE: AVT)運(yùn)營機(jī)構(gòu)之一安富利電子元件(Avnet Electronics Marketing) 旗下Avnet Express近日推出亞洲最完善的電子元件電子商務(wù)網(wǎng)站 www.avnetexpress.com/asia ，該網(wǎng)站也是業(yè)界首個支持中國在線支付系統(tǒng)的亞洲分銷商網(wǎng)站。

發(fā)表于：7/8/2010

AMOLED短缺引發(fā)智能手機(jī)市場擔(dān)憂

據(jù)iSuppli公司，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)供應(yīng)短缺，正在妨礙其在智能手機(jī)市場挑戰(zhàn)AMLCD技術(shù)的主導(dǎo)地位。

發(fā)表于：7/6/2010

2011年DRAM均價將跌三成，眾廠商加大投入搏競爭力

針對 DRAM 廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均價較今年下跌約30%。然而隨著制程轉(zhuǎn)進(jìn)、成本下降， DRAM 廠營業(yè)利益率(OP Margin)成本優(yōu)勢最佳者，今年?duì)I業(yè)利益率平均為36%，明年平均為26%；而成本優(yōu)勢落后者，今年下半年轉(zhuǎn)虧為營，明年?duì)I業(yè)利益率約可維持在10%上下。

發(fā)表于：7/6/2010

LED晶粒年底可達(dá)供需平衡

LED供需爭議未止，昨公布的一項(xiàng)報告指出，電視用LED晶粒缺貨狀況將到年底，估計第四季就會達(dá)成平衡。

發(fā)表于：7/5/2010

磁性材料前景樂觀

磁性材料是電子工業(yè)的重要基礎(chǔ)功能材料，廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、電子器件、通訊、汽車和航空航天等工業(yè)領(lǐng)域和家用電器、兒童玩具等日常生活用品，隨著世界經(jīng)濟(jì)和科學(xué)技術(shù)的迅猛發(fā)展，磁性材料的需求將空前廣闊。

發(fā)表于：7/2/2010

英飛凌推出650V CoolMOS? C6/E6高壓功率晶體管為開關(guān)應(yīng)用帶來最高效率和輕松控制

2010年7月2日，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日推出全新的650V CoolMOS? C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣的技術(shù)平臺，C6器件針對易用性進(jìn)行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。

發(fā)表于：7/2/2010

IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。

發(fā)表于：7/2/2010

集成的 5A MOSFET 和 RSENSE提供高度集成的熱插拔解決方案

加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2010 年 7 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A 熱插拔 (Hot SwapTM) 控制器 LTC4219，用于保護(hù)負(fù)載電源電壓范圍為 2.9V 至 15V 的低功率電路板。LTC4219 通過在加電時限制流向負(fù)載電源的浪涌電流，允許電路板安全地在一個帶電的背板上插入和拔出。熱插拔控制器一般需要若干支持組件。然而，LTC4219 在其電源通路中集成了一個電源 MOSFET 和檢測電阻器，以限制浪涌電流，從而減少了所需的外部組件數(shù)量。該器件的內(nèi)部 dV/dt 電路意味著無需外部柵極電容器。可調(diào)電流限制允許用戶在不同的負(fù)載條件下改變電流限制門限，例如在磁盤驅(qū)動器旋轉(zhuǎn)至正常工作狀態(tài)時。高集成度和纖巧 DFN 封裝使 LTC4219 在空間受限應(yīng)用中成為使用方便的熱插拔解決方案。

發(fā)表于：7/1/2010