4月28日消息，據wccftech報道，繼今年3月宣布全球首次向客戶提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺積電北美技術論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。
據SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進行大規模生產，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產品中。
除了 HBM4，SK 海力士展示了16層堆疊HBM3E，這也是同類產品中的首創，具有 1.2 TB/s 帶寬等。據說這個特殊的標準將與英偉達的 GB300 “Blackwell Ultra” AI芯片集成。有趣的是，SK 海力士聲稱他們已經設法通過 Advanced MR-MUF 和 TSV 連接了這么多層。
SK 海力士還展示了其服務器內存模塊陣容，尤其是 RDIMM 和 MRDIMM 產品。現在正在基于更新的 1c DRAM 標準構建高性能服務器模塊，這使得模塊的速度高達 12,500 MB/s。
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