2 月 25 日消息，美光科技剛剛宣布，已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節(jié)點、第六代（注：即 10nm 級）DRAM 節(jié)點的 DDR5 內(nèi)存樣品。
據(jù)介紹，基于 1γ 節(jié)點的 16Gb DDR5 產(chǎn)品 DDR5 內(nèi)存速度可達(dá) 9200MT/s，較上一代提升 15%，可滿足數(shù)據(jù)中心、端側(cè) AI 設(shè)備對高性能計算的需求。
同時，美光的 1γ 節(jié)點采用了新一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù)，結(jié)合設(shè)計優(yōu)化，功耗降低超 20%，并顯著改善熱管理性能。
此外，新一代內(nèi)存通過極紫外光刻（EUV）與工藝創(chuàng)新，使比特密度提升超 30%，有效提升內(nèi)存供應(yīng)效率。
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