奈梅亨，2024年11月20日：Nexperia今日宣布推出一系列高性能柵極驅動器IC，可用于驅動同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅動器包含車規(guī)級和工業(yè)級版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動態(tài)性能，可大幅提高應用效率和魯棒性。其中，NGD4300-Q100達到車規(guī)級標準，非常適合電動助力轉向和電源轉換器應用；NGD4300則設計用于消費類設備、服務器和電信設備中的DC-DC轉換器以及各種工業(yè)應用中的微型逆變器。

　　這些IC中的高邊驅動器可以在不超過120 V的直流總線電壓下工作，其中集成了二極管的自舉電源有助于縮小PCB尺寸，簡化整體系統(tǒng)設計。此系列器件可提供高達4 A（峰值）的拉電流和5 A的灌電流，即使在重負載下也能確保上升和下降時間較短。其延遲特性還顯著優(yōu)于類似競品，輸入輸出延遲低至13納秒，通道間延遲誤差僅1納秒，有助于進一步提高開關占空比，從而縮短死區(qū)時間。這些柵極驅動器的上升時間為4納秒，下降時間為3.5納秒（典型值），可促進提高效率，支持高頻和快速系統(tǒng)控制。除此之外還能兼容輸入控制信號，可接受TTL和CMOS兩種邏輯電平。

　　Nexperia IC解決方案業(yè)務部門總經(jīng)理Irene Deng表示：“這些器件是我們新推出的高性能半橋柵極驅動器產(chǎn)品組合中的第一批產(chǎn)品。此次發(fā)布凸顯了Nexperia如何利用工藝創(chuàng)新來滿足市場對穩(wěn)健柵極驅動器日益增長的需求，新系列器件更是在提高消費類、工業(yè)和汽車應用電源轉換器效率的同時，增強了電機控制穩(wěn)定性。”

　　這些IC采用了絕緣體硅片（SOI）工藝，將HS引腳的負電壓耐受能力擴展到-5 V，大幅降低系統(tǒng)寄生元件和意外尖峰造成芯片損壞的風險，從而確保在電源轉換和電機驅動應用中實現(xiàn)出色的魯棒性。NGD4300和NGD4300-Q100提供DFN-8、SO-8和HSO-8三種封裝選擇，方便工程師根據(jù)應用需求在器件尺寸和熱性能之間靈活取舍。

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