Nexperia日前宣布，為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開(kāi)關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個(gè)匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備等電動(dòng)交通工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機(jī)。

在并聯(lián)兩個(gè)或多個(gè)MOSFET以實(shí)現(xiàn)高電流能力和降低導(dǎo)通損耗的過(guò)程中，設(shè)計(jì)人員往往難以確保在導(dǎo)通與關(guān)斷階段，負(fù)載電流可在各獨(dú)立器件間均勻分配。VGS(th)值最低的MOSFET會(huì)最先導(dǎo)通，進(jìn)而承受更高熱應(yīng)力，可能會(huì)加速器件失效。為保障足夠的安全裕量，工程師通常會(huì)對(duì)終端應(yīng)用中所用MOSFET的規(guī)格進(jìn)行過(guò)度設(shè)計(jì)。這種方式不僅會(huì)增加成本、消耗更多時(shí)間，還需開(kāi)展額外的測(cè)試，但仍難以保證器件在高負(fù)載電流（數(shù)十安培級(jí)別）場(chǎng)景下具有穩(wěn)定表現(xiàn)。另一種方案是向供應(yīng)商采購(gòu)經(jīng)過(guò)篩選匹配的器件，但同樣會(huì)增加終端應(yīng)用的整體成本。 

Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET憑借優(yōu)異的特性和增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能，可幫助設(shè)計(jì)人員規(guī)避上述兩種方案的局限。在導(dǎo)通/關(guān)斷過(guò)程中，針對(duì)單器件電流達(dá)50 A的應(yīng)用場(chǎng)景，這兩款開(kāi)關(guān)能使并聯(lián)器件間的電流差值減少50%；同時(shí)，VGS(th)參數(shù)差異范圍縮小50%（最大值與最小值僅差0.6 V）。這一特性結(jié)合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on)，有助于在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提升能效表現(xiàn)。 

新款A(yù)SFET采用兼具耐用性與空間效率的8 mm×8 mm銅夾片LFPAK88封裝，工作溫度范圍為-55℃至+175℃。