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imec首次成功利用High NA EUV光刻機實現邏輯DRAM結構圖案化

2024-08-08
來源:IT之家

 8 月 8 日消息,比利時微電子研究中心 imec 當地時間昨日宣布,在其與 ASML 合作的 High NA EUV 光刻實驗室首次成功利用 High NA EUV 光刻機曝光了邏輯和 DRAM 的圖案結構。

在邏輯圖案方面,imec 成功圖案化了單次曝光隨機邏輯機構,實現了 9.5nm 密集金屬線(IT之家注:對應 19nm Pitch),將端到端間距尺寸降低至 20nm 以下:

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▲ 密集金屬線。圖源 imec,下同

不僅如此,imec 實現了中心間距 30nm 的隨機通孔,展現了出色的圖案保真度和臨界尺寸一致性:

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▲ 隨機通孔

此外,imec 通過 High NA EUV 光刻機構建了 P22nm 間距的二維特征,顯示了新一代光刻技術在二維布線方面的潛力:

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▲ 二維特征

而在 DRAM 領域,imec 成功利用單次曝光圖案化了集成 SNLP(Storage Node Landing Pad)和位線外圍的 DRAM 設計,展現了 High NA EUV 減少曝光次數的能力:

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▲ DRAM 設計

imec 總裁兼首席執行官 Luc Van den hove 表示:

這些結果證實了 High NA EUV 光刻技術長期以來所預測的分辨率能力,一次曝光即可實現 20nm 以下間距的金屬層。

因此 High NA EUV 將對邏輯和存儲器技術的尺寸擴展起到重要作用,而這正是將路線圖推向 "埃米時代" 的關鍵支柱之一。

這些早期演示之所以能夠實現,要歸功于 ASML-imec 聯合實驗室的建立,它使我們的合作伙伴能夠加快將 High NA 光刻技術引入制造領域。


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