你可能不知道，問世超過 20 年的 DUV 光刻機(jī)，還在發(fā)光發(fā)熱。

使用浸潤(rùn)式 DUV 光刻機(jī) + 多重曝光技術(shù)生產(chǎn) 5nm 芯片完全可行，不計(jì)代價(jià)的情況下甚至能做到 3nm。

盡管理論上可行，且在 7nm 節(jié)點(diǎn)上已被部分晶圓廠驗(yàn)證過，但這需要諸多條件同時(shí)滿足，比如多重曝光中關(guān)鍵的 " 套刻精度 " ——多次曝光之間圖形對(duì)準(zhǔn)的精度。

此外，也涉及到許許多多的制程手段，比如相移光罩、模型光學(xué)臨近效應(yīng)修正、過蝕刻、反演光刻等，甚至基于最新的定向自組裝光刻技術(shù)，在不依賴更高分辨率光刻的情況下，也有生產(chǎn) 5nm 芯片的可能性。

當(dāng)然，這么做需要付出高昂的成本，一般晶圓廠不會(huì)采用這種極端的手段來量產(chǎn)先進(jìn)工藝芯片，畢竟主流的方案都是經(jīng)過市場(chǎng)優(yōu)勝劣汰，篩選出來的最符合商業(yè)邏輯的制造方式。

我們先從一個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)講起，但如果你對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)有系統(tǒng)的認(rèn)知，可跳過第一部分。

5nm 是文字游戲？

想要搞清楚浸潤(rùn)式光刻機(jī) + 多重曝光到底能否做到 5nm 之前，需要先厘清什么是 5nm。正好這兩天，也有人把這個(gè)話題又拿出來吵，說 ASML 揭了晶圓廠的老底。

在展開說線寬的話題之前，我們需要知道，晶體管的作用，線寬在這里面扮演的價(jià)值。

晶體管通過柵極（Gate）來控制電路的導(dǎo)通和截止，導(dǎo)通代表 1，截止代表 0，以此來實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制計(jì)算。柵極長(zhǎng)度（Gate length）越小，電流通過晶體管的源極（Source）、漏極（Drain）的速度就越快，即芯片的性能越強(qiáng)。

圖 1：MOSFET 場(chǎng)效晶體管平面結(jié)構(gòu)示意圖

過去，晶體管的柵極長(zhǎng)度被定義為線寬，和工藝節(jié)點(diǎn)名保持一致，光刻、沉積、刻蝕、擴(kuò)散都是縮小線寬的核心制程。

隨著 FinFET、Nanasheet 這些立體的晶體管結(jié)構(gòu)的問世，半導(dǎo)體行業(yè)開始突出等效性能的概念——雖然叫 14nm，但它的柵極長(zhǎng)度遠(yuǎn)不止 14nm。例如，英特爾的 14nm 工藝，柵極長(zhǎng)度是 24nm，臺(tái)積電的 7nm 工藝，柵極長(zhǎng)度是 22nm。

另一方面，線寬并不能作為衡量晶體管密度的特征參數(shù)，這是因?yàn)榧幢憔€寬很小，但如果柵極之間的間距很大，單位面積內(nèi)容納的晶體管數(shù)量依然無法提升。這個(gè)時(shí)候，如果要表示元件的微縮程度，就需要引出另一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)——周距（Pitch，也有節(jié)距的叫法），如下圖。比如，過去 1 個(gè)單位面積下有 9 個(gè)晶體管，通過縮小周距，可容納 10 個(gè)晶體管。

圖 2：線寬 / 柵極長(zhǎng)度、周距與半周距的關(guān)系

90 年代，0.35μm 以前，工藝節(jié)點(diǎn)、半周距（Half pitch，即周距的一半）與柵極長(zhǎng)度均一致，但在這之后，半周距、柵極長(zhǎng)度與節(jié)點(diǎn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系出現(xiàn)分歧。從下面的圖表我們可以清楚看出節(jié)點(diǎn)，半周距與柵極長(zhǎng)度的關(guān)系與演變。

回到最開始的話題，當(dāng)我們?cè)谡f 5nm 的時(shí)候，其實(shí)只是在說它的制程節(jié)點(diǎn)，而并不是實(shí)際的線寬。

許多朋友喜歡說，現(xiàn)在各家半導(dǎo)體大廠宣稱的多少 nm 工藝都是營(yíng)銷話術(shù)，嚴(yán)格意義上，20 年前所有工藝節(jié)點(diǎn)都是如此。10 年前，行業(yè)進(jìn)入 14nm 的 FinFET 立體結(jié)構(gòu)時(shí)代，則徹底地打破節(jié)點(diǎn)、周距、柵極長(zhǎng)度與線寬的關(guān)聯(lián)。

沒有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)自然會(huì)被企業(yè)拿來玩文字游戲、模糊概念，三星在其 14nm 節(jié)點(diǎn)上首開先河，臺(tái)積電為了不落人后馬上跟進(jìn)，但保守的定義為 16nm，只有自詡為 " 摩爾定律 " 堅(jiān)定追隨者的英特爾，當(dāng)時(shí)還在死磕傳統(tǒng)線寬的命名方式，直到 2021 年才全面修改節(jié)點(diǎn)命名，跟隨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的節(jié)奏。

但這有問題嗎？其實(shí)一點(diǎn)問題都沒有。

晶體管早就從平面變?yōu)榱Ⅲw結(jié)構(gòu)，如果我們把線寬的概念轉(zhuǎn)化為單位晶體管密度（MTr/mm2，即每平方毫米百萬晶體管數(shù)），會(huì)發(fā)現(xiàn)摩爾定律并沒有消亡，只是以一種不同的形態(tài)繼續(xù)生效——晶體管單位密度仍一直在增加——原本摩爾定律規(guī)定的就是 " 晶體管數(shù)量每 18 個(gè)月提升一倍 "。

晶體管密度江湖里的搏殺

針對(duì)晶體管的各種特征尺寸多而復(fù)雜，每個(gè)廠商都有不同的定義設(shè)計(jì)，不同廠商相同制程工藝的產(chǎn)品也不完全具有可比性。

目前直觀比較各家制程差異的唯一辦法，就是回歸摩爾定律的本質(zhì)，對(duì)比晶體管密度，即單位面積內(nèi)的晶體管數(shù)量。

根據(jù)上表的數(shù)據(jù)，在 14nm 節(jié)點(diǎn)英特爾、臺(tái)積電、三星單位晶體管數(shù)量都是每平方毫米 0.3 億顆左右。

10nm 開始，英特爾將 14nm+++ 改為 Intel 10，名字是跟上了，但晶體管數(shù)量卻成了倒數(shù)第一，而三星則是在 10nm 的優(yōu)化版，即三星的 8nm 節(jié)點(diǎn)，才提升至與臺(tái)積電大致水平。

2018 年臺(tái)積電利用浸潤(rùn)式光刻機(jī) 1980Ci，配合四重曝光技術(shù)率先量產(chǎn) 7nm，三星在隔年以更先進(jìn)的 EUV 光刻機(jī)應(yīng)戰(zhàn)，但失去了先機(jī)。加上對(duì) EUV 光刻機(jī)的熟悉不足，結(jié)果良率低下，最后以自家三星手機(jī)放棄獵戶座芯片，轉(zhuǎn)而搭載高通芯片以及開出比臺(tái)積電低 30% 的代工費(fèi)用，勉強(qiáng)留下大客戶高通。英特爾這時(shí)候還在擠 14nm+++ 的牙膏，7nm 一役臺(tái)積電大殺四方。

臺(tái)積電 7nm 從 DUVi 的 N7、N7P，到 EUV 的 N7+ 及 N6 共四個(gè)版本，晶體管密度從 0.91 提升到 1.16 億，三星為 0.95 億，英特爾 2020 年才量產(chǎn) 1 億晶體管密度，而在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電已先一步幫華為生產(chǎn)出全球首款 5nm 手機(jī)芯片麒麟 9000，晶體管密度達(dá) 1.5 億 +。

2020 年，三星宣布量產(chǎn) 5nm，但晶體管密度只從 7nm 的 0.95 億小幅提升至 1.27 億，改良版 4nm 也只有 1.37 億晶體管，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如臺(tái)積電初代 5nm 的 1.5 億，與臺(tái)積電 1.8 億的 5nm 改良版 N4P 差距更大，只能算作 7nm 的升級(jí)版。3nm 節(jié)點(diǎn)上，三星也存在類似的問題。

2021 年英特爾宣布全面改名節(jié)點(diǎn)，英特爾 10nm 改成 Intel 7，原本的 7nm 改成 Intel 4，并把后續(xù)節(jié)點(diǎn)細(xì)化成了 Intel 3、Intel 20A、 Intel 18A。英特爾 CEO 帕特 · 基辛格雖然提出了 4 年 5 個(gè)節(jié)點(diǎn)的路線圖，但實(shí)際上 Intel 7 本身就是已量產(chǎn)的 10nm，Intel 4 與 Intel 3 是同一節(jié)點(diǎn)的細(xì)分優(yōu)化版本，所以這 5 年真正要攻克的是 3 個(gè)節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)我們的了解，Intel 18A 進(jìn)度大概率要延后，至少得 2026 年或者更久，而 2025 年底臺(tái)積電第一代的 2nm 可以量產(chǎn)。但目前蘋果 3nm 和 2nm 的案子都在跑，明年的 A19 是否采用臺(tái)積電的 2nm，將會(huì)在 2025 年第一季度視 2nm 產(chǎn)線的良率做最后定案。這也與去年蘋果 A17 搶發(fā)第一代 3nm，但升級(jí)效果不明顯有關(guān)，畢竟 N4P 與 N3B，晶體管密度分別為 1.8 億、1.9 億，提升并不明顯。

所以，今年蘋果很可能會(huì)改變打法，讓臺(tái)積電繼續(xù)深挖 3nm 潛能，比如今年蘋果 A18 將采用 N3P，雖說跟去年的 A17 一樣都是 3nm，但其晶體管密度從 1.9 億到 2.8 億。對(duì)比其他競(jìng)品的 3nm，目前晶體管密度都還在 1.8 億以下，且都是良率很低的小批量生產(chǎn)。

有一個(gè)現(xiàn)象是值得注意的：摩爾定律的節(jié)點(diǎn)推進(jìn)時(shí)間從原本 18 個(gè)月到 24 個(gè)月，進(jìn)入 7nm 以后則是延緩到 30 個(gè)月，2018 年量產(chǎn) 7nm，2020 年量產(chǎn) 5nm，2023 量產(chǎn) 3nm，2025 量產(chǎn) 2nm，大概為 2~3 年推進(jìn)一代。以目前可知技術(shù)來看，1.4nm 還能保持目前速度，1nm 往后節(jié)點(diǎn)大概率拉長(zhǎng)到 40 個(gè)月以上，但這只是線寬微縮的放緩，并不影響晶體管數(shù)量的提升。

在可以確定的 20 年內(nèi)，芯片晶體管的總數(shù)將持續(xù)快速增長(zhǎng)，甚至在單芯片功耗上超越原本的摩爾定律，比如 3 月份臺(tái)積電的劉德音與黃漢森在 IEEE 發(fā)表的文章，預(yù)測(cè)未來 10 年內(nèi)，人類就可以制造出一萬億顆晶體管的 GPU 單芯片，而且未來不再是通過單一的制程手段改善來提升晶體管數(shù)量，立體結(jié)構(gòu)的優(yōu)化、2D 新材料以及先進(jìn)封裝每一個(gè)技術(shù)，都能有效并持續(xù)提升晶體管數(shù)量。

量產(chǎn)與良率成為模糊地帶

過去搶先量產(chǎn)，是英特爾、三星、臺(tái)積電三強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵，誰先量產(chǎn)誰就能掌握先機(jī)。

但現(xiàn)在，各家對(duì)節(jié)點(diǎn)定義的差距巨大，比如都說自己是 5nm，但晶體管密度天差地別，從這個(gè)角度來看，對(duì)臺(tái)積電還有一點(diǎn)點(diǎn)威脅的是英特爾，三星已經(jīng)不在競(jìng)爭(zhēng)的行列。

三星還有個(gè)玩法就是在良率上動(dòng)手腳，一個(gè)新節(jié)點(diǎn)多少良率才算是達(dá)到量產(chǎn)水平，這是最說不清的。按臺(tái)積電的做法，有外部客戶愿意基于當(dāng)前良率下單，并順利產(chǎn)出才稱為量產(chǎn)，也就是所謂的商業(yè)量產(chǎn)。

三星每個(gè)節(jié)點(diǎn)的首發(fā)客戶基本都是內(nèi)部的三星電子，一般在低良率階段開啟風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)并同時(shí)對(duì)外宣稱量產(chǎn)。

將研發(fā)中個(gè)位數(shù)良率拿來宣布量產(chǎn)，這么做只是為了宣傳，不會(huì)有任何實(shí)質(zhì)意義，因?yàn)榱悸什蛔愕膲钠瑧T例是由客戶承擔(dān)，同等密度情況下，客戶肯定是優(yōu)先下單給良率最高的晶圓廠。在密度跟良率都落后的情況下，只有降低代工費(fèi)用才能搶到零星客戶，還得承擔(dān)良率不足的壞片成本，但晶圓廠這么干，沒有任何賺錢的可能性。

有一點(diǎn)需要注意，相關(guān)廠家有時(shí)候會(huì)透露自己良率已經(jīng)到 60% 甚至 80%，但這其中也有模糊地帶。一般情況下 80% 的良率，只是對(duì)應(yīng)礦機(jī) ASIC 這種簡(jiǎn)單芯片，手機(jī) AP（Application Process，手機(jī)中的應(yīng)用處理器 CPU）的良率則有可能不到 50%，而如果是 GPU 這類面積大的芯片可能只有 20% 出頭。

同樣的 7nm 工藝，生產(chǎn)不同產(chǎn)品良率截然不同，但廠家可能只告訴你最好的那個(gè)，這也是行業(yè)的貓膩之一。

晶圓廠的量產(chǎn)時(shí)間與良率是一個(gè)可以大做文章的模糊地帶，這種對(duì)比絕非簡(jiǎn)單制程節(jié)點(diǎn)的同比，而要看單位面積的晶體管密度，以及真正可以拿到商業(yè)客戶訂單的量產(chǎn)時(shí)間與良率，才叫商業(yè)量產(chǎn)。

2020 年，三星宣布量產(chǎn) 5nm 芯片，看似贏了對(duì)手，但一比較兩者晶體管密度與良率，就會(huì)得出完全相反的結(jié)論。

沒有 EUV，怎么做 5nm？

前面的幾個(gè)部分，給大家講了過去的 5nm、現(xiàn)在的 5nm 對(duì)應(yīng)的概念。簡(jiǎn)單總結(jié)：20 年前如果說 5nm，對(duì)應(yīng)的就是線寬，晶體管的柵極長(zhǎng)度，但是今天再說 5nm，實(shí)際上就是一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的符號(hào)，比起這個(gè)符號(hào)，單位面積下的晶體管密度才能判斷出是否真的是 5nm。

接下來，我們將通過一系列的講解，來告訴大家，在沒有 EUV 光刻機(jī)的情況下，通過哪些手段，來實(shí)現(xiàn)所謂的 "5nm""3nm"，這部分內(nèi)容在林本堅(jiān)博士的《光學(xué)微影縮 IC 百萬倍》講座中也做了非常詳細(xì)的介紹，我們做了一些簡(jiǎn)要摘錄，先從一個(gè)核心的光學(xué)分辨率公式開始（提示：這不需要太多數(shù)學(xué)基礎(chǔ)，往下看即能看懂）：

半周距 Half Pitch = k1λ／sinθ。

Half Pitch：參照文章圖 2，線寬 / 柵極長(zhǎng)度 + 線與線的間距即 Pitch，再乘以 1/2 即 Half Pitch。

k1：與工藝有關(guān)的系數(shù)，縮小 Half Pitch 的關(guān)鍵，是所有晶圓廠光刻工藝工程師致力縮小的目標(biāo)，也是我們要討論的核心。

λ：光刻中使用光源的波長(zhǎng)，從 g-line 的 436nm，降到 EUV 的 13.5nm，是光刻機(jī)制造商努力的目標(biāo)。

sinθ：與鏡頭聚光至成像面的角度有關(guān)，基本由鏡頭決定，也是光刻機(jī)制造商努力的目標(biāo)。

不過由于光在不同介質(zhì)中，波長(zhǎng)會(huì)改變，在考慮如何增加分辨率時(shí)，需要將透鏡與晶圓之間的介質(zhì)（折射率 n）一并納入考量，公式則變成了 Half Pitch = k1λ／nsinθ（注：nsinθ 即光刻機(jī)的數(shù)值孔徑 NA）。

圖 3：光線通過透鏡系統(tǒng)聚焦成像示意圖，n 為介質(zhì)折射率，θ 為鏡頭的聚光角度

以 193nm 光源的浸潤(rùn)式光刻機(jī)為例，其 k1 為 0.28，水的折射率 n 為 1.44，sinθ 為 0.93，其 Half Pitch=（0.28×193）/（1.44×0.93）=54.04/1.3392≈40nm，即分辨率為 40nm。

所以，如果要提高光刻機(jī)的分辨率，可以調(diào)整公式中的變量，擴(kuò)大分母或者縮小分子，對(duì)應(yīng)有四種可能性：即增加聚光角度，提升 sinθ、提高介質(zhì)的折射率 n、降低 k1 系數(shù)、采用波長(zhǎng)更 λ 更短的光源。其中，降低 k1 系數(shù)是目前晶圓廠層面最大的突破口之一，可重點(diǎn)關(guān)注。

1）提升 sinθ：研發(fā)巨大復(fù)雜的鏡頭

sinθ 與鏡頭聚光角度有關(guān)，數(shù)值由鏡頭決定，sinθ 越大，分辨率越高。光刻機(jī)所使用的鏡頭由非常多大大小小、不同厚薄及曲率的透鏡，經(jīng)過精確計(jì)算后，仔細(xì)堆疊組成的，需要靠起重機(jī)來吊裝，目前光刻機(jī)的鏡頭系統(tǒng)接近 6000 萬美元，EUV 鏡頭系統(tǒng)甚至超過一億美元。

圖 4：0.9NA 光刻機(jī)鏡頭系統(tǒng)，NA（數(shù)值孔徑）= n × sin θ

做得這樣復(fù)雜，也是為了盡可能將 sinθ 逼近理論極值 1。

目前 ArF 光刻機(jī)的鏡頭可將 sinθ 值做到 0.93，EUV 光刻機(jī)目前只能達(dá)到 0.33，Hyper-NA EUV 的目標(biāo)值是 0.75，也是 ASML 的終極項(xiàng)目。如果未來沒有新技術(shù)發(fā)明出來，這很可能是芯片物理光刻技術(shù)的終結(jié)。

2）縮短波長(zhǎng)：材料與鏡頭的精準(zhǔn)搭配

縮短波長(zhǎng)主要依靠光源的改變，比如 g-Line，i-Line 的 UV（紫外光），KrF，ArF 的 DUV（深紫外光）再到目前 13.5nm 波長(zhǎng)的 EUV（極紫外光），如果波長(zhǎng)再短就是 X-ray。

改變光源可以獲得想要的波長(zhǎng)，但鏡頭的材料也必須相應(yīng)改變，材料可選項(xiàng)也會(huì)越少。

另一種解決方案是在鏡頭組中加入反射鏡（下圖黃色部分），這樣的鏡頭組合稱為反射折射式光學(xué)系統(tǒng)。不管什么波長(zhǎng)的光，遇到鏡面的入射角和反射角都相等，以反射鏡取代透鏡，就可以增加對(duì)光波帶寬的容忍度。

圖 5：193nm 的 ArF 光刻機(jī)所使用的鏡頭系統(tǒng)，從圖中可看到在透鏡組合之間加入了反射鏡

到了 EUV 的 13.5nm 波長(zhǎng)時(shí)，整組鏡頭都采用反射鏡，稱為全反射式光學(xué)系統(tǒng)，這種系統(tǒng)必須設(shè)計(jì)得讓光束相互避開，使鏡片不擋光線。此外，相較于透鏡穿透的角度，鏡面反射的角度對(duì)誤差的容忍度更低，必須非常精準(zhǔn)。

光源改變不僅會(huì)影響鏡頭材料，也牽涉到光刻膠的材料，涵蓋化學(xué)性質(zhì)、透光度、感光度等特性，這也是個(gè)浩大的工程，需要無數(shù)的材料及配方去應(yīng)對(duì)不同制程的 layer。其中，感光速度是節(jié)省制造成本的關(guān)鍵，每次曝光多幾秒，那對(duì)芯片制造來說都是不可承受的成本。

3）提高折射率 n 值：浸潤(rùn)式光刻技術(shù)

在增加分辨率的路上，還可以調(diào)整鏡頭與晶圓之間的介質(zhì)。由前臺(tái)積電研發(fā)副總林本堅(jiān)提出的浸潤(rùn)式技術(shù)中，將介質(zhì)從折射率接近 1 的空氣，改成折射率 1.44 的水，形同 193nm 波長(zhǎng)等效縮小 1.44 倍至 134nm。

圖 6：干式光刻系統(tǒng)與浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)的差異

浸潤(rùn)式技術(shù)讓半導(dǎo)體制程可以繼續(xù)使用同樣的波長(zhǎng)和光罩，只要把水放到鏡頭底部和晶圓之間就好。理論很簡(jiǎn)單但難點(diǎn)在于，例如浸液系統(tǒng)中的 DI Water（去離子水）中的空氣會(huì)產(chǎn)生氣泡，必須完全清除，且要讓水快速流動(dòng)使之分布均勻，保證成像效果。

我們了解過，ASML 浸潤(rùn)式光刻機(jī)的 Alpha 機(jī)，僅浸液系統(tǒng)，在臺(tái)積電南科專門跟林本堅(jiān)團(tuán)隊(duì)一起修改了 7-8 回，耗時(shí)兩年多。Alpha 機(jī)完成后的 Beta 版還得組織龐大的人力在晶圓廠消耗無數(shù)晶圓，把原本上千個(gè)缺陷，降到幾百個(gè)、幾十個(gè)，最后降到零，這是一個(gè)艱苦的過程。

4）降低 k1：分辨率增益技術(shù)（RET）

提高分辨率的最后一條路，就是降低 k1 值，這是晶圓廠里光刻工藝工程師工作的重中之重，也是離我們最近的一條路線。將 k1 降下來，是 DUV 光刻機(jī)制作 5nm 芯片的關(guān)鍵。

首先要解決的問題是 " 防振動(dòng) "，就像拍照防抖一樣，在曝光時(shí)設(shè)法減少晶圓和光罩的相對(duì)振動(dòng)，使曝光圖形更加精準(zhǔn)，恢復(fù)因振動(dòng)損失的分辨率；其次是 " 減少無用反射 "，設(shè)法消除曝光時(shí)晶圓表面所產(chǎn)生的不必要的反射。改良上述兩項(xiàng)參數(shù)，實(shí)測(cè)的數(shù)據(jù)顯示，基本可以將 k1 控制在 0.65 的水平。

進(jìn)一步提高分辨率還需要使用到雙光束成像，分別有偏軸式曝光及相移光罩兩種。偏軸式曝光是調(diào)整光源入射角度，讓光線斜射進(jìn)入光罩。透過角度調(diào)整，這兩道光相互干涉來成像，使分辨率增加并增加景深。相移光罩則是在光罩上進(jìn)行處理，讓穿過相鄰?fù)腹鈪^(qū)的光，有 180 度相位差。這兩種做法都可以讓 k1 減少一半，但都屬于雙光束成像的概念，不能疊加使用。到這里，基本可以使 k1 控制在 0.28。

再進(jìn)一步降低 k1，殺手锏是用兩個(gè)以上的光罩，也就是大家耳熟能詳?shù)亩嘀仄毓狻Ｗ钔ㄋ椎慕忉尵褪菍⒚芗膱D案分工給兩個(gè)以上圖案較寬松的光罩，輪流曝光在晶圓上（如下圖 7）。

圖 7：28nm 光刻機(jī)使用的光罩示意圖，光透過白色孔照射在晶圓的光刻膠上呈現(xiàn)黃色圓點(diǎn)，借助 2 個(gè)光罩分兩次曝光，以實(shí)現(xiàn)分辨率的提升

不過，因?yàn)槠毓獯螖?shù)加倍，在 WPH（晶圓片數(shù) / 小時(shí)）不變的情況下，晶圓產(chǎn)出效率降低了一半，多次曝光也將導(dǎo)致良率的降低，更低的產(chǎn)出加上更低的良率，這對(duì) " 成本即一切 " 的半導(dǎo)體行業(yè)來說是不可承受之重，而曝光次數(shù)增加導(dǎo)致的低產(chǎn)出無可避免，工程師們唯一可以挽救的唯有良率。

在浸潤(rùn)式光刻機(jī)上，疊加使用光學(xué)鄰近效應(yīng)修正、光源與光罩聯(lián)合優(yōu)化等技術(shù)，可以讓 k1 值下探到 0.2，分辨率可達(dá) 28nm。采用雙重曝光，k1 可以從初始的 0.28 降至 0.14，分辨率則達(dá)到 20nm。采用四重曝光則可以將 k1 降到 0.07，分辨率達(dá)到 10nm 左右，甚至比 EUV 光刻機(jī)的 11.5nm 的分辨率更高，這就是浸潤(rùn)式光刻機(jī)多重曝光做 7nm、 5nm 甚至 3nm 的理論依據(jù)。

雖然理論簡(jiǎn)單，但實(shí)踐起來就沒那么容易，這其中自對(duì)準(zhǔn)多曝光技術(shù)最為重要，借助這項(xiàng)技術(shù)可以讓 k1 值成倍縮小，而這項(xiàng)技術(shù)最關(guān)鍵的就是光刻機(jī)的套刻精度（Overlay），它決定了芯片上下層的對(duì)準(zhǔn)精度，進(jìn)而決定了多重曝光的良率。

提高套刻精度的辦法之一，就是拿到更高精度的設(shè)備，比如 2100i DUV 光刻機(jī)。另外，每家晶圓廠掌握的技術(shù)也不盡相同，目前能把多臺(tái)套刻精度（MMO）做到無限接近單臺(tái)套刻精度（DCO），全世界僅臺(tái)積電一家。這是基于光刻機(jī)性能以外的 know how，有兩個(gè)數(shù)據(jù)可供參考：臺(tái)積電用 MMO:2.5nm 的 1980ci 光刻機(jī) + 四重曝光良率超過 80%，而我們大陸工廠用 MMO:1.5nm 的 2050i+ 四重曝光下，經(jīng)過 2 年的不斷努力，良率接近 50%。

去年，比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）去年發(fā)布了浸潤(rùn)式光刻機(jī)借助八重曝光做 5nm 的技術(shù)方案。

其他技術(shù)路線上，IMEC 和 Mentor 還共同創(chuàng)建不需添加任何冗余金屬，沒有額外的電容 SALELE（自對(duì)準(zhǔn) - 光刻 - 刻蝕）技術(shù)，以及跳脫了傳統(tǒng)使用光罩的光刻，以材料研發(fā)為方向，先合成聚合物再加熱處理產(chǎn)生特殊的化學(xué)交互作用，就會(huì)自動(dòng)對(duì)齊成為比原來小四分之一結(jié)構(gòu)的 " 定向自組裝技術(shù) "（Directed Self-Assembly，DSA）。

另外，由于 EUV 太容易被吸收，無法像 DUV 一樣用水折射增加折射率 n 值，ASML 通過 High-NA，Hyper-NA 提高 sinθ 這種路徑最終會(huì)走到盡頭，所以晶圓廠制程端，可以大幅度降低 k1 的多重曝光就成了不論 DUV，還是 EUV 都繞不開的技術(shù)。這也意味著沉積與刻蝕設(shè)備更加重要，AMAT、LAM、TEL 三巨頭無不卯足了勁發(fā)展相關(guān)技術(shù)，包括更復(fù)雜的脈沖，更精細(xì)地控制，更大功率的工具，尤其是原子層沉積與刻蝕技術(shù)，都將改變?cè)瓉淼墓に嚶肪€。

再回到文章第二部分的晶體管密度表，未來不論節(jié)點(diǎn)名稱叫 "3nm" 還是 "N+4"，這些都不是重點(diǎn)，重點(diǎn)是芯片晶體管密度是否能夠大幅度提升。