5月14日消息，HBM負責人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當前業(yè)界HBM技術已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使SK海力士將加速開發(fā)過程，最早在2026年推出他們的 HBM4E" target="_blank">HBM4E內(nèi)存，相關內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。
除了 HBM4E 外，據(jù)此前報道，有消息稱SK海力士計劃在2025年下半年推出采用12層DRAM堆疊的首批HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊HBM稍晚于2026年推出。
HBM4 / HBM4E 的開發(fā) " 加速過程 " 無疑顯示了 AI 領域巨頭對高性能內(nèi)存的強勁需求，日益強大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。
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