Vishay的新款80 V對(duì)稱(chēng)雙通道 MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平
2024-03-25
來(lái)源：VISHAY
節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50 %，有助于減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2024年3月14日 —日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型80 V對(duì)稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。器件為設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級(jí)，適用領(lǐng)域包括無(wú)線(xiàn)電基站、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、焊接設(shè)備和電動(dòng)工具。這些應(yīng)用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時(shí)4.5 V下邏輯電平導(dǎo)通簡(jiǎn)化電路驅(qū)動(dòng)。
為提高功率密度，該MOSFET 在4.5 V條件下導(dǎo)通電阻典型值降至18.5 mW，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。比相同封裝尺寸最接近的競(jìng)品器件低16 %。SiZF4800LDT低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為 131mW*nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用的效率。
器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，熱阻比競(jìng)品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT導(dǎo)通電阻和熱阻低，連續(xù)漏電流達(dá)36 A，比接近的競(jìng)品器件高38 %。 MOSFET獨(dú)特的引腳配置有助于簡(jiǎn)化PCB布局，支持縮短開(kāi)關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過(guò)100% Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。
SiZF4800LDT現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為26周。
更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<
