據媒體報道，中國領先的存儲企業(yè)長鑫存儲 ( CXMT ) 已經開始準備必要設備，計劃制造自己的 HBM 高帶寬內存，以滿足迫切的 AI、HPC 應用需求。

報道稱，長鑫已經在向美國、日本的供應商下單采購制造、組裝、測試 HBM 內存的必要設備。

這說明，相關開發(fā)設計工作已經完成，可以轉入投產階段。

消息人士稱，早在 2023 年中，Applied Materials、Lam Research 等美國設備供應商就獲得了美國政府的許可，可以向長鑫出口 HBM 制造設備。

考慮到 HBM 內存需要先進、復雜的制造和封裝技術，這似乎暗示中芯國際在這方面也已經取得了突破。

目前，長鑫已經在合肥有了一座 DRAM 內存工廠，正在籌錢建設第二座，會導入更先進的工藝，有可能會同時用來制造 HBM。

暫時還不清楚長鑫要生產的 HBM 是第幾代，可能是 HBM3，而國際上已經有了更先進的 HBM3E，SK 海力士還計劃在 2026 年搶先投產 HBM4。

根據規(guī)劃，HBM4 將拋棄用了將近十年的 1024-bit 位寬，首次升級到 2048-bit 位寬，并有望堆疊更多層級，從而在容量、帶寬上都實現一次重大飛躍。