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1c納米內存競爭:三星計劃增加EUV使用,美光將引入鉬、釕材料

2024-02-04
來源:IT之家

根據韓媒 The Elec 的報道,DRAM 內存巨頭三星和美光均將在下一個內存世代,也就是 1c nm 工藝引入更多新技術。

編者注:1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代,美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進的內存為 1b nm 世代,三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。

分析機構 TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示,美光將在 1c nm 節點率先引入鉬(Mo,讀音 m ù)和釕(Ru,讀音 li ǎ o)。這兩種金屬將作為布線材料,被用于內存的字線和位線中。

鉬和釕的電阻相較于現在應用的鎢(W)更低,可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題:其在工藝中會反應生成有毒的四氧化釕(RuO4),為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為,三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。

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而在三星這邊,其將進一步擴大 EUV 工藝的應用。三星是三大存儲原廠中首先引入 EUV 的企業,已將其應用至字線和位線等層中,預計在 1c nm 中 EUV 應用將擴展至 8-9 層。對于美光,其也將在 1 γ nm 節點首次導入 EUV 光刻。

展望未來 10nm 以下制程,Choi Jeong-dong 表示三大廠商均在研究 3D DRAM 和 4F2 DRAM 等路線以實現進一步微縮,Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用電容器的 1T DRAM 等也是可能方向。

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