長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于11月9日起訴美光科技有限公司（下稱(chēng)“美光”）及全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司侵犯其8項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專(zhuān)利侵權(quán)起訴書(shū)中稱(chēng)，訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利創(chuàng)新。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書(shū)中提到，美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)，以抵御來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)，并獲得和保護(hù)市場(chǎng)份額。訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面：美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
據(jù)悉，本次涉案的長(zhǎng)江存儲(chǔ)的美國(guó)專(zhuān)利包括：US10,950,623（3D NAND存儲(chǔ)器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲(chǔ)裝置及控制方法）、US10,658,378（三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,937,806 （三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,861,872（三維存儲(chǔ)器件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND存儲(chǔ)器操作的體系結(jié)構(gòu)和方法）、US11,600,342（三維閃存的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三維存儲(chǔ)器件及其制造方法）。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過(guò)了美光。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，目前其已經(jīng)是全球3D NAND市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。2022年11月，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights在一項(xiàng)分析后得出的結(jié)論：“長(zhǎng)江存儲(chǔ)所取得的成就令人驚嘆，現(xiàn)在是3D NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者”，“一舉超越了美光”。
2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)第一代32層3D NAND Flash芯片，2019年量產(chǎn)64層256Gb TLC 3D NAND閃存，2020年跳過(guò)96層研發(fā)兩款128層閃存產(chǎn)品。
特別值得一提的是，近年來(lái)，隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍CMOS電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上。為了解決這一問(wèn)題，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2018年推出了自研的創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)。
Xtacking是通過(guò)將兩塊獨(dú)立的晶圓分別制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路，然后將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上，二者之間的垂直連接則需要相應(yīng)的鍵合技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，形成間距為10μm 及以下的互連，且不會(huì)影響 I/O 性能。另外，由于兩種類(lèi)型的芯片可以在不同的生產(chǎn)線上制造，因此可以使用各自優(yōu)化的工藝節(jié)點(diǎn)分別生產(chǎn)，不僅可以縮短生產(chǎn)周期，還可以降低制造復(fù)雜度和成本。此外，該技術(shù)也使得每平方毫米的存儲(chǔ)密度、性能和可擴(kuò)展性可以進(jìn)一步提高。目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking技術(shù)已經(jīng)進(jìn)展到了3.0版本。
2022年10月，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局發(fā)布出口管制新規(guī)，限制對(duì)中國(guó)出口芯片制造設(shè)備等，將長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND Flash芯片層數(shù)卡在已量產(chǎn)的最新工藝上。當(dāng)年12月，美國(guó)又將長(zhǎng)江存儲(chǔ)納入出口管制“實(shí)體清單”。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)最大的3D NAND制造廠商，自去年以來(lái)受到美方的打壓，無(wú)法獲取先進(jìn)的美日荷設(shè)備，產(chǎn)能擴(kuò)張受到了限制。此次，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)對(duì)美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光發(fā)起專(zhuān)利訴訟，維護(hù)自身權(quán)益，不僅反應(yīng)了自身技術(shù)的領(lǐng)先性，也體現(xiàn)了國(guó)內(nèi)受制企業(yè)敢于“亮劍”的精神。