據(jù)外媒Phonearena報道，三星代工廠是僅次于巨頭臺積電的全球第二大獨立代工廠。換句話說，除了制造自己設(shè)計的 Exynos 芯片外，三星還根據(jù)高通等代工廠客戶的第三方公司提交的設(shè)計來制造芯片。

　　Snapdragon 865 應(yīng)用處理器 (AP) 由臺積電使用其 7nm 工藝節(jié)點構(gòu)建。到了5nm Snapdragon 888 芯片組，高通回到了三星，并繼續(xù)依靠韓國代工廠生產(chǎn) 4nm Snapdragon 8 Gen 1。這是目前為三星、小米、摩托羅拉制造的高端 Android 手機提供動力的 AP。

　　三星代工繼續(xù)在良率上苦苦掙扎

　　但在 2 月份，有報道稱三星 Foundry 在其 4nm 工藝節(jié)點上的良率僅為 35%。這意味著只有 35% 的從晶圓上切割下來的芯片裸片可以通過質(zhì)量控制。相比之下，臺積電在生產(chǎn) 4nm Snapdragon 8 Gen 1 Plus 時實現(xiàn)了 70% 的良率。換句話說，在所有條件相同的情況下，臺積電在同一時期制造的芯片數(shù)量是三星代工的兩倍。

　　這就導(dǎo)致臺積電最終收到高通的訂單，以構(gòu)建其剩余的 Snapdragon 8 Gen1 芯片組以及 Snapdragon 8 Gen 1 Plus SoC。我們還假設(shè)臺積電將獲得制造 3nm Snapdragon 8 Gen 2 的許可，即使高通需要向臺積電支付溢價以讓該芯片組的獨家制造商在短時間內(nèi)制造足夠的芯片。

　　盡管三星最近表示其產(chǎn)量一直在提高，但《商業(yè)郵報》的一份報告稱，三星 3nm 工藝節(jié)點的產(chǎn)量仍遠(yuǎn)低于公司的目標(biāo)。雖然三星代工廠的全環(huán)柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)首次推出其 3 納米節(jié)點，使其在臺積電（臺積電將推出其 2 納米節(jié)點的 GAA 架構(gòu)）上處于領(lǐng)先地位，但三星代工廠在其早期 3 納米生產(chǎn)中的良率一直處于10% 至 20%的范圍 。

　　這不僅是三星需要改進(jìn)的極低良率，而且比 Sammy 在 4nm Snapdragon 8 Gen 1 中所經(jīng)歷的上述 35% 良率還要糟糕。

　　Wccftech 表示，據(jù)消息人士稱，三星將從明年開始向客戶發(fā)貨的 3nm GAA 芯片組的第一個“性能版本”實際上可能是新的內(nèi)部 Exynos 芯片。據(jù)報道，三星一直在為其智能手機開發(fā)新的 Exynos 芯片系列，但現(xiàn)階段尚不清楚它們是否會使用 3nm GAA 工藝節(jié)點制造。

　　臺積電和三星在制程領(lǐng)導(dǎo)力方面很快就會有新的挑戰(zhàn)者

　　臺積電和三星很快就會有新的挑戰(zhàn)者，因為英特爾曾表示，其目標(biāo)是在 2024 年底之前接管行業(yè)的制程領(lǐng)導(dǎo)地位。它還率先獲得了更先進(jìn)的極紫外 (EUV) 光刻機。

　　第二代 EUV 機器被稱為High NA 或高數(shù)值孔徑。當(dāng)前的 EUV 機器的 NA 為 0.33，但新機器的 NA 為 0.55。NA 越高，蝕刻在晶圓上的電路圖案的分辨率就越高。這將幫助芯片設(shè)計人員和代工廠制造出新的芯片組，其中包含的晶體管數(shù)量甚至超過了當(dāng)前集成電路上使用的數(shù)十億個晶體管。

　　它還將阻止代工廠再次通過 EUV 機器運行晶圓以向芯片添加額外的功能。ASML 表示，第二代 EUV 機器產(chǎn)生的更高分辨率圖案將提供更高的分辨率將使芯片特征小 1.7 倍，芯片密度增加 2.9 倍。

　　通過首先獲得這臺機器，英特爾將能夠朝著從臺積電和三星手中奪回制程領(lǐng)導(dǎo)地位的目標(biāo)邁出一大步。